中野　由崇　NAKANO Yoshitaka

プロフィール

職名	准教授
所属	総合工学研究所 大学院 工学研究科 電気電子工学専攻 工学部 電子情報工学科
最終学歴	早稲田大学 大学院 理工学研究科
学位	博士(工学)
所属学会・役職	応用物理学会 Materials Research Society
専門分野	半導体物性デバイス
研究テーマ	ワイドギャップ半導体の電子物性研究、酸化物・窒化物・有機エレクトロニクス、太陽光エネルギー変換工学
授業科目	量子電子物理、ナノ物性デバイス特論、ナノテクノロジー概論
共同研究キーワード	バンドギャップ電子物性計測、酸化物・窒化物半導体エレクトロニクス、有機半導体エレクトロニクス、太陽光エネルギー変換、界面電子物性

著書および訳書

N.Matsuki, Y.Nakano, Y.Irokawa, M.Lozac'h, M.Sumiya: Solar Cells - New Aspects and Solutions, "Chapter 14: Transparent Conducting Polymer/Nitride Semiconductor Heterojunction Solar Cells" (分担執筆), Intech, 2011.

中野由崇: 可視光応答型光触媒の実用化技術, 第9章 第3節「半導体物性計測技術によるバンドギャップ内準位評価」(分担執筆), シーエムシー出版, 2010.

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki: Recent Research Developments in Materials Science Vol. 7, "Chapter 3: Visible-Light Sensitivity in N-Doped ZnO Films"(分担執筆), Research Signpost, 2007.

中野, 森川, 大脇, 多賀: 可視光応答型光触媒と光触媒応用製品−研究・開発・評価・実際技術−, 第3章「光触媒材料の半導体バンド構造解析について」(分担執筆), 技術教育出版社, 2006.

Y.Nakano: Recent Research Developments in Applied Physics Vol. 8, "Chapter 2: Ion-Implantation Doping and Gate Insulators for GaN Power Devices"(分担執筆), Transworld Research Network, 2006.

中野: 可視光応答型光触媒−材料設計から実用化までのすべて−, 第9章 第3節「半導体物性計測技術によるバンドギャップ内準位評価」(分担執筆), シーエムシー出版, 2005.

学術論文、評論

学術論文(2000〜)

Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai: "Effect of Carbon Impurity Incorporation on Band-Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Structures", Electrochemical and Solid-State Letters 15(2), HH44-47 (2012).

Y.Nakano, M.Lozac'h, N.Matsuki, K.Sakoda, M.Sumiya: "Photo-capacitance spectroscopy study of deep-level defects in free-standing n-GaN substrates using transparent conductive polymer Schottky contacts", Journal of Vaccum Science & Technology B 29, 023001 (2011).

Y.Guo, K.Nakamura, J.Zhang, Y.Nakano, H.Sugai: "Influence of High-Energy Secondary Electrons in Plasma Immersion Ion Implantation", Japanese Journal of Applied Physics 50, 01AA02 (2011).

Y.Nakano, N.Matsuki, Y.Irokawa, M.Sumiya: "Deep-Level Characterization of n-GaN Epitaxial Layers using Transparent Conductive Polyanikine Schottky Contacts", Japanese Journal of Applied Physics　50, 01AD02 (2011).

N.Matsuki, Y.Irokawa, Y.Nakano, M.Sumiya: "π-conjugated polymer/GaN Schottky solar cells", Solar Energy Materials & Solar Cells 95, 284-287 (2011).

N.Matsuki, Y.Nakano, Y.Irokawa, M.Sumiya: "Heterointerface Properties of Novel Hybrid Solar Cells Consisting of Transparent Conductive Polymer and III-Nitride Semiconductor", Journal of Nonlinear Optical Physics & Materials 19(4) 703-711 (2010).

Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai: "Photo-Capacitance Spectroscopy Investigation of Deep-Level Defects in AlGaN/GaN hetero- structures with different current collapses", physica status solidi (Rapid Research Letters 4, 374-376 (2010).

Y.Nakano: "Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of Degradation Phenomena in Tris(8-hydroxy quinoline) Aluminum-Based Organic Light-Emitting Diodes", Applied Physics Express 2, 092103 (2009).

Y.Irokawa, N.Matsuki, M.Sumiya, Y.Sakuma, T.Sekiguchi, T.Chikyo, Y.Sumida, Y.Nakano: "Low-Frequency Capacitance-Voltage Study of Hydrogen Interaction with Pt-AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes", Physica Status Solidi (Rapid Research Letters) 3, 266-268 (2009).

Y.Nakano, S.Saeki, T.Morikawa: "Optical bandgap widening of p-type Cu2O films by nitrogen doping", Applied Physics Letters 94, 022111 (2009).

Y.Nakano, Y.Irokawa, M.Takeguchi: "Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of Band Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Interfaces", Applied Physics Express 1, 091101 (2008).

Y.Nakano, K.Noda, H.Fujikawa, T.Morikawa: "Emissive Interface States in Organic Light-Emitting Diodes Based on Tris(8-Hydroxyquinoline) Aluminum", Japanese Journal of Applied Physics 47(1), 464 (2008).

A.Uedono, K.Ito, H.Nakamori, K.Mori, Y.Nakano, T.Kachi, S.Ishibashi, T.Ohdaira, R.Suzuki: "Annealing Properties of Vacancy-Type Defects in Ion-Implanted GaN Studied by Monoenergetic Positron Beams", Journal of Applied Physics 102, 084505 (2007).

Y.Nakano, K.Noda, H.Fujikawa, T.Morikawa: "Deep-Level Characterization of Emissive Interface States in Alq3-Based OLEDs", physica status solidi (Rapid Research Letters) 1, 196 (2007).

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Origin in Visible-Light Sensitivity in N-Doped TiO2 Films", Chemical Physics 339, 20 (2007). /invited/

Y.Nakano, K.Noda, H.Fujikawa, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Deep-Level Characterization of Tris(8-Hydroxyquinoline) Aluminum with and without Quinacridone Doping", Japanese Journal of Applied Physics 46(4B), 2636 (2007).

Y.Nakano, K.Noda, H.Fujikawa, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Trap Levels in Tris(8-Hydroxyquinoline) Aluminum Studied by Deep-Level Optical Spectroscopy", Applied Physics Letters 88, 252104 (2006).

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Electrical Characterization of p-Type N-Doped ZnO Films Prepared by Thermal Oxidation of Sputtered Zn3N2 Films", Applied Physics Letters 88, 172103 (2006).

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Deep-Level Characterization of N-Doped ZnO Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering", Applied Physics Letters 87, 232101 (2005).

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Electrical Characterization of Band Gap States in C-Doped TiO2 Films", Applied Physics Letters 87, 052111 (2005).

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of N-Doped TiO2 Films", Applied Physics Letters 86, 132104 (2005).

Y.Irokawa, O.Fujishima, T.Kachi, Y.Nakano: "Electrical Activation Characteristics of Silicon-Implanted GaN", Journal of Applied Physics 97, 083505 (2005).

Y.Nakano, O.Fujishima, T.Kachi, K.Abe, O.Eryu, K.Nakashima, T.Jimbo: "N-Type Doping Characteristics of O-Implanted AlGaN", Journal of The Electrochemical Society 151, G801 (2004).

Y.Nakano, O.Fujishima, T.Kachi: "Effect of Activation Ambient on Acceptor Levels in Mg-Doped GaN", Journal of Applied Physics 96, 415 (2004).

Y.Nakano, O.Fujishima, T.Kachi: "High-Temperature Annealing Behavior of p-Type Doping Characteristics in Mg-Doped GaN", Journal of The Electrochemical Society 151, G574 (2004).

Y.Irokawa, Y.Nakano, M.Ishiko, T.Kachi, J.Kim, F.Ren, B.P.Gila, A.H.Onstine, C.R.Abernathy, S.J.Pearton, C.-C.Pan, G.-T.Chen, and J.-I.Chyi: "MgO/p-GaN Enhancement Mode Metal-Oxide-Semiconductor", Applied Physics Letters 84, 2919 (2004).

中野, 土屋, 坂田: 「CVD法と熱処理で作製した多結晶Si膜の粒界物性評価」, 電気学会論文誌E 142, 14 (2004).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "N-Type Doping Characteristics of O-Implanted GaN", Journal of Vacuum Science and Technology B 21, 2602 (2003).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Characteristics of SiO2/n-GaN Interfaces with b-Ga2O3 Interlayers", Applied Physics Letters 83, 4336 (2003).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Inversion Behavior in Thermally Oxidized p-GaN Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors", Journal of Vacuum Science and Technology B 21, 2220 (2003).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Electrical Properties of Thermally Oxidized p-GaN Metal-Oxide-Semiconductor Diodes", Applied Physics Letters 82, 2443 (2003).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Effect of Be++O+ Co-Implantation on Be Acceptors in GaN", Applied Physics Letters 82, 2082 (2003).

Y.Nakano, T.Jimbo: "Electrical Properties of SiO2/n-GaN Metal-Insulator-Semiconductor Diodes", Journal of Vacuum Science and Technology B 21, 1364 (2003).

Y.Nakano, T.Jimbo: "Interface Properties of Thermally Oxidized n-GaN Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors", Applied Physics Letters 82, 218 (2003).

Y.Nakano, T.Jimbo: "Electrical Characterization of Acceptor Levels in Be-Implanted GaN", Applied Physics Letters 81, 3990 (2002).

Y.Nakano, T.Jimbo: "Electrical Characterization of Acceptor Levels in Mg-Doped GaN", Journal of Applied Physics 92, 5590 (2002).

Y.Nakano, M.Ishiko, H.Tadano: "Deep Level Centers in Silicon Introduced by High-Energy He Irradiation and Subsequent Annealing", Journal of Vacuum Science and Technology B 20, 379 (2002).

Y.Nakano, T.Jimbo: "Structural Defects and Electrical Properties of N/Ge Co-Implanted GaN", Defect and Diffusion Forum 206-207, 75 (2002). /invited/

Y.Nakano, T.Jimbo: "Co-Implantation of Si+N into GaN for N-Type Doping", Journal of Applied Physics 92, 3815 (2002).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "N/Ge Co-Implantation into GaN for N-Type Doping", Japanese Journal of Applied Physics 41, 2522 (2002).

Y.Nakano, T.Jimbo: "Interface Properties of SiO2/n-GaN Metal-Insulator-Semiconductor Structures", Applied Physics Letters 80, 4756 (2002).

Y.Nakano, T.Kachi: "Defects in N/Ge Coimplanted GaN Studied by Positron Annihilation", Journal of Applied Physics 91, 884 (2002).

Y.Irokawa, Y.Nakano: "Observation of Inversion Behavior in N-Type GaN Planar Metal-Insulator-Semiconductor Capacitor", Solid-State Electronics 46, 1467 (2002).

Y.Nakano, T.Kachi: "Current Deep-Level Transient Spectroscopy Investigation of Acceptor Levels in Mg-Doped GaN", Applied Physics Letters 79, 1631 (2001).

Y.Nakano, R.K.Malhan, T.Kachi, H.Tadano: "Effect of C and B Sequential Implantation on the B Acceptors in 4H-SiC", Journal of Applied Physics 89, 5961 (2001).

Y.Nakano, T.Kachi: "Effect of N/Ge Co-Implantation on the Ge Activation in GaN", Applied Physics Letters 79, 1468 (2001).

Y.Nakano, M.Ishiko, H.Tadano, U.Myler, P.Simpson: "Thermal Behavior of He-Irradiated Defects in Silicon", Journal of Crystal Growth 210, 80 (2000).

国際会議プロシーディングス(2000〜)

Y.Nakano, R.Kawakami, M.Niibe, A.Takeichi, T.Inaoka, K.Tominaga: "Photoluminescence Study of Damage Introduced in GaN by Ar- and Kr-Plasmas Etching", Materials Research Society Symposium Proceedings 1396, 1396-o07-36 1-6 (2011).

Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, and H.Kawai: "Investigation of Band-Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Structures with Different Growth Conditions of GaN Buffer Layers", Materials Research Society Symposium Proceedings 1396, 1396-o07-37 1-6 (2011).

Y.Nakano, M.Lozac'h, N.Matsuki, K.Sakoda, M.Sumiya: "Deep-Level Characterization of Free-Standing HVPE-grown GaN Substrates Using Transparent Conductive Polyaniline Schottky Contacts", Materials Research Society Symposium Proceedings 1309, 1309-ee06-41 1-6 (2011).

Y.Nakano,Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi,H.Kawai: "Correlation between Deep-Level Defects and Current Collapses in AlGaN/GaN Hetero-Structures Probed by Steady-State Photo-Capacitance Spectroscopy", Materials Research Society Symposium Proceedings 1309, 1309-ee06-40 1-6 (2011).

Y.Irokawa, M.Matsuki, M.Sumiya, Y.Sakuma, T.Sekiguchi, T.Chikyo, Y.Sumida, Y.Nakano: "Anomalous capacitance-voltage characteristics of Pt-AlGaN/GaN Schottky diodes exposed to hydrogen", physica status solidi (c) 7, 1928-1930 (2010).

Y.Nakano, N.Matsuki, Y.Irokawa, M.Sumiya: "Electrical Characterization of n-GaN Using Transparent Polyaniline Schottky Contacts", physica status solidi (c) 7, 2007-2009 (2010).

Y.Nakano: "Intrinsic Degradation in Alq3-Based OLEDs Probed by Deep-Level Optical Spectroscopy", Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.1212, 1212-S03-01 (2010).

Y.Nakano, Y.Irokawa, M.Takeguchi: "Band Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Interface Studied by Deep-Level Optical Spectroscopy", Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.1202, 1202-I09-03 (2010).

Y.Nakano, S.Saeki, T.Morikawa: "Nitrogen-Doping Induced Optical Bandgap Widening of P-Type Cu2O Films", Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.1217, 1217-Y03-38 (2010).

Y.Nakano, K.Noda, H.Fujikawa, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Deep-Level Characterization of Tris(8-Hydroxyquinoline) Aluminum with and without Quinacridone Doping", Materials Research Society Symposium Proceedings Volume 965E, S09-21 (2007). [Electronic paper]

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki: "Visible-Light Sensitivity in N-Doped ZnO Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering", Materials Research Society Symposium Proceedings Volume 957, K07-57 (2007).

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Band-Gap Narrowing of TiO2 Films Induced by N Doping", Physica B: Condensed Matter 376-377, 823 (2006).

Y.Irokawa, Y.Nakano, M.Ishiko, T.Kachi, J.Kim, F.Ren, B.P.Gila, A.H.Onstine, C.R.Abernathy, S.J.Pearton, C.-C.Pan, G.-T.Chen, J.-I.Chyi: "GaN Enhancement Mode Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistors", Physica Status Solidi (c) 2, 2668 (2005).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Defects in N/Ge and N/Si Co-Implanted GaN", Materials Science in Semiconductor Processing 6, 515 (2004).

Y.Nakano, T.Jimbo: "Electrical Characterization of Acceptor Levels in Mg-Doped GaN", Physica Status Solidi (c) 0, 438 (2002).

Y.Nakano, T.Jimbo: "Inversion Behavior in SiO2/n-GaN Metal-Insulator-Semiconductor Structures", Physica Status Solidi (b) 234, 859 (2002).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Doping Characteristics and Structural Defects in N/Ge Co-Implanted in GaN", Institute of Physics Conference Series No.170 Chapter 9 (2002). [CD-ROM]

Y.Nakano, T.Kachi, H.Tadano, R.K.Malhan: "Effect of C/B Co-Implantation on the B Acceptors in 4H-SiC", Materials Research Society Symposium Proceedings 640 (2001) [CD-ROM].

Y.Nakano, T.Kachi, H.Tadano, R.K.Malhan: "Effect of C/B Sequential Implantation on the B acceptor in 4H-SiC", Journal of Crystal Growth 210, 283 (2000).

総説・解説

中野: 「光容量分光法によるAlGaN/GaNヘテロ構造における欠陥準位と電流コラプス現象の相関」, 村田学術振興財団 年報 25, 902-903 (2011).

中野: "Correlation between Current Collapse Phenomena and Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero-Structures Probed by Deep-Level Optical Spectroscopy", 中部大学 総合工学 23, 16-21 (2011).

中野: 「AlGaN/GaNヘテロ接合界面のバンドギャップ内準位計測」, カシオ科学振興財団 年報, 86-87 (2010).

中野: "Intrinsic Degradation in Alq3-Based OLEDs Probed by Deep-Level Optical Spectroscopy", 中部大学 総合工学 22, 23-29 (2010).

中野:「DLOS法による有機EL素子の発光層界面のバンド構造解析」, 中部大学 総合工学　21, 151-154 (2009).

大脇, 森川, 青木, 鈴木,　伊藤, 中野, 旭, 正木, 多賀:「窒素ドープ酸化チタンによる可視光応答型光触媒の開発」, 豊田自動織機技報 第53号, 46 (2007).

中野:「7.7.2 TiO2系透明導電膜の研究開発動向」, (財)光産業技術振興協会(OITDA) 平成18年度光技術動向調査報告書 442 (2007).

中野, 森川, 大脇, 多賀:「光触媒材料の半導体バンド構造解析について」, 光機能材料研究会 会報光触媒 第19号, 29 (2006).

中野，井上，土屋，坂田，多賀:「多結晶Si膜の粒界キャラクタリゼーション」, 豊田中央研究所 R & D レビュー Vol.34, No.1, 11 (1999).

講演、シンポジウム、学会発表

国際会議(2000〜)

Y.Nakano, R.Kawakami, M.Niibe, A.Takeichi, T.Inaoka, K.Tominaga: "Photoluminescence Study of Plasma-Induced Etching Damages in GaN", Materials Research Society 2011 Fall Meeting (2011.11, USA).

Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, and H.Kawai: "Steady-State Photo-capacitance Spectroscopy Investigation of Band-Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Structures with Different Growth Conditions", Materials Research Society 2011 Fall Meeting (2011.11, USA).

Y.Guo, Q.Yang, J.Zhang, D.Wang, Y.Nakano, H.Sugai, K. Nakamura, J.Shi: "In situ monitoring damage density of GaN substrate surface in ICP containing energetic electrons", The 20th International Symposium on Plasma Chemistry (2011.7, USA).

Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, and H.Kawai: "Correlation between Current Collapses and Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero-Structures Probed by Photo-Capacitance Spectroscopy", 9th International Conference on Nitride Semiconductors (2011.7, UK).

M.Lozac'h, Y.Nakano, K.Sakoda and M.Sumiya: "Properties of III-V nitride thin film Schottky solar cells using transparent conductive polymer", 5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (2011.5, Toba).

J.S.Gao, T.Kondou, N.Ito, Y.Nakano, K.Naamura, H.Sugai: "Generation of High Energy Electron Beams and Its Application for Cathode Luminescence Measurements of Gallium Nitride Semiconductor in Inductively-Coupled Plasmas", 3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (2011.3, Nagoya).

N.Ito, J.Gao, Y.Nakano, K.Nakamura,　H.Sugai: "Photoluminescence Study of Plasma-Induced Damage in GaN", 3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (2011.3, Nagoya).

Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai: "Correlation between Current Collapses and Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero-Structures Probed by Photo-Capacitance Spectroscopy", 3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (2011.3, Nagoya).

J.S.Gao, T.Kondou, N.Ito, Y.Nakano, K.Nakamura, H.Sugai: "Generation of High Energy Electron Beams and Its Application for Cathode Luminescence Measurements of Gallium Nitride Semiconductor in Inductively-Coupled Plasmas", 4th International Conference on Plasma-NanoTechnology & Science (2011.3, Takayama).

Y.Nakano: "Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of Intrinsic Degradation in Alq3- and Alq3:Qd-Based OLEDs", Materials Research Society 2010 Fall Meeting (2010.11, USA).

Y.Nakano, N.Matsuki, M.Lozac'h, K.Sakoda, M.Sumiya: "Deep-Level Optical Characterization of Free-Standing HVPE GaN Substrates and MOCVD GaN films Using Transparent Conductive Polyaniline Schottky Contacts", Materials Research Society 2010 Fall Meeting (2010.11, USA).

Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, H.Kawai: "Current Collapses in AlGaN/GaN Hetero-structures Studied by Deep-level Optical Spectroscopy", Materials Research Society 2010 Fall Meeting (2010.11, USA).

K.Nakamura, Y.Guo, J.Gao, Y.Nakano, H.Sugai: "Optical Luminescence of GaN Thin Films Induced by High Energy Electrons in Inductively-Coupled Plasmas", The 32nd International Symposium on Dry Process (2010.11, Tokyo).

K.Nakamura, Y.Guo, J.Gao, Y.Nakano, H.Sugai: "Irradiation of High Energy Electrons onto GaN Thin Films and Observation of its Optical Luminescence in Inductively-Coupled Plasmas", 7th International Conference on Reactive Plasmas/ 63rd Gaseous Electronics Conference/ 28th Symposium on Plasma Processing (2010.10, France).

Y.Nakano, N.Matsuki, Y.Irokawa, Masatomo Sumiya: "Deep-Level Characterization of n-GaN Using Transparent Polyaniline Schottky Contacts", The Third International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (2010.6, Toyama).

Y.Nakano: "Deep-Level Optical Spectroscopy Study of Intrinsic Degradation in Alq3- and Alq3:Qd-Based Organic Light-Emitting Diodes", The Third International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (2010.6, Toyama).

N.Matsuki,Y.Nakano, Y.Irokawa, M.Sumiya: "Heterointerface Properties of Novel Hybrid Solar Cells consisting of Transparent Conductive Polymers and III-Nitride Semiconductor", The International Conference on Nanophotonics 2010 (2010.5, Tsukuba).

Y.Guo, K.Nakamura, J.Shi, J.Zhang, Y.Nakano, H.Sugai: "Influence of High-Energy Secondary Electrons in Plasma Immersion Ion Implantation", 2nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (2010.3, Nagoya).

Y.Nakano, N.Matsuki, Y.Irokawa, M.Sumiya: "Deep-Level Optical Spectroscopy Study of Band Gap States in n-GaN Epilayers Using Transparent Polyaniline Schottky Contacts", 2nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (2010.3, Nagoya).

Y.Nakano, S.Saeki, T.Morikawa: "Optical bandgap widening of p-type Cu2O films by nitrogen doping", Materials Research Society 2009 Fall Meeting (2009.11, USA).

Y.Nakano, K.Nakamura, Y.Irokawa, M.Takeguchi: "Deep-Level Optical Spectroscopy Study of Interface States in AlGaN/GaN Hetero-Structure", Materials Research Society 2009 Fall Meeting (2009.11, USA).

Y.Nakano: "Degradation in Alq3-Based OLEDs Studied by Deep-Level Optical Spectroscopy", Materials Research Society 2009 Fall Meeting (2009.11, USA).

Y.Nakano, K.Nakamura, Y.Irokawa, M.Takeguchi: "Interface States in AlGaN/GaN hetero-structure Probed by Deep-level Optical Spectroscopy", 8th International Conference on Nitride Semiconductors (2009.10, Korea).

Y.Irokawa,M. Matsuki, M.Sumiya, Y.Sakuma, Y.Sumida, Y.Nakano: “Anomalous capacitance-voltage characteristics of Pt-AlGaN/GaN Schottky diodes exposed to hydrogen”, 8th International Conference on Nitride Semicon6ductors (2009.10, Korea).

Y.Nakano, N.Matsuki, Y.Irokawa, M.Sumiya: "Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of Band Gap States in n-GaN Epilayers Using Transparent Polyaniline Schottky Contacts", 8th International Conference on Nitride Semiconductors (2009.10, Korea).

Y.Nakano, K.Nakamura, Y.Irokawa, M.Takeguchi: "Band Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Interface Studied by Deep-Level Optical Spectroscopy", 13th International Conference on Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (2009.9, USA).

Y.Nakano: "Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of Degradation in Alq3-Based OLEDs", 13th International Conference on Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (2009.9, USA).

Y.Nakano, K.Nakamura, Y.Irokawa, M.Takeguchi: "Band Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Interface Probed by Deep-Level Optical Spectroscopy", 8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (2009.8, Nagano).

Y.Nakano, K.Noda, H.Fujikawa, T.Morikawa: "Interfacial Electronic States in Alq3/α-NPD-Based Organic Light-Emitting Diodes Studied by Deep-Level optical Spectroscopy", 12th International Conference on Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (2007.9, Germany).

Y.Nakano, K.Noda, H.Fujikawa, T.Morikawa: "Deep-Level Characterization of Tris(8-Hydroxyquiniline) Aluminum with and without Quinacridone Doping", 12th International Conference on Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (2007.9, Germany) .

Y.Nakano, K.Noda, H.Fujikawa, T.Morikawa: "Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of Interfacial Trap States in Alq3/α-NPD-Based Organic Light-Emitting Diodes", 2007 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (2007.6, Nagano).

T.Ohwaki, T.Morikawa, K.Aoki, K.Suzuki, T.Ito, R.Asahi, Y.Nakano, Y.Oota, Y.Mitsubori: "Fundamentals and Applications of Visible-Light Photocatalyst", Materials Research Society 2006 Fall Meeting (2006.11, USA).

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki: "Visible-Light Sensitivity for N-Doped ZnO Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering", Materials Research Society 2006 Fall Meeting (2006.11, USA).

Y.Nakano, K.Noda, H.Fujikawa, T.Morikawa, T.Ohwaki: "Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of Trap Levels in Tris(8-Hydroxyquiniline) Aluminum", Materials Research Society 2006 Fall Meeting (2006.11, USA)

Y.Nakano, K.Noda, H.Fujikawa, T.Morikawa, T.Ohwaki: "Deep-Level Characterization of Tris(8-Hydroxyquinoline) Aluminum with and without Quinacridone Doping", 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (2006.9, Yokohama).

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Band-Gap Narrowing of TiO2 Films Induced by N Doping", 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (2005.7, Hyogo).

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of N-Doped TiO2", 4th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (2005.4, Tokyo). /invited/

Y.Irokawa, Y.Nakano, M.Ishiko, T.Kachi, J.Kim, F.Ren, B.P.Gila, A.H.Onstine, C.R.Abernathy, S.J.Pearton, C.-C.Pan, G.-T.Chen, J.-I.Chyi: "GaN Enhancement Mode Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistors", International Workshop on Nitride Semiconductors 2004 (2004.4, USA).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "N-Type Implantation Doping of GaN", 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (2003.10, France).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "P-Type Implantation Doping of GaN", 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (2003.10, France).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Thermally Oxidized GaN Metal-Oxide-Semiconductor Structures", 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (2003.10, France).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Be+O Co-Implantation into GaN for P-Type Doping", 5th International Conference on Nitride Semiconductors (2003.5, Nara).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Interface Properties of Thermally Oxidized n-GaN MOS Structures", 5th International Conference on Nitride Semiconductors (2003.5, Nara).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Defects in N/Ge and N/Si Co-Implanted GaN", 1st International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry (2003.3, Sendai).

Y.Nakano, T.Jimbo: "Electrical Characterization of Acceptor Levels in Mg-Doped GaN", International Workshop on Nitride Semiconductors 2002 (2002.7, Germany).

Y.Nakano, T.Jimbo: "Inversion Behavior in SiO2/n-GaN Metal-Insulator-Semiconductor Structures", International Workshop on Nitride Semiconductors 2002 (2002.7, Germany).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Doping Characteristics and Structural Defects in N/Ge Co-Implanted in GaN", 28th International Symposium on Compound Semiconductors (2001.9, Tokyo).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "N/Ge Co-Implantation into GaN for N-Type Doping", International Conference on Solid State Devices and Materials 2001 (2001, Tokyo).

T.Kachi, Y.Nakano: "Effect of N/Ge Sequential Implantation on the Ge Activation in GaN", 4th International Conference on Nitride Semiconductors (2001, USA).

Y.Nakano, T.Kachi, H.Tadano, R.K.Malhan, "Effect of C/B Co-Implantation on the B Acceptors in 4H-SiC", Materials Research Society 2000 Fall Meeting (2000, USA).

国内学会(2000〜)

加藤，李，伊藤，中村，中野，菅井: 「プラズマ環境にある窒化ガリウム薄膜のフォトルミネッセンス観測」, 電気関係学会四国支部連合大会 (2011.9).

小西，川上，新部，武市，森，小高, 中野，稲岡，富永，向井:「窒素プロセシングプラズマによるn-GaN エッチングダメージ」」, 電気関係学会四国支部連合大会 (2011.9).

武市，川上，新部，中野，小西，森, 小高，稲岡，富永，向井:「Ar/Kr プラズマイオンと紫外線のシナジー効果によるn-GaN エッチングダメージ」, 電気関係学会四国支部連合大会 (2011.9).

新部，小高，川上，中野, 稲岡，富永，向井: 「HeおよびArガスを用いてプラズマエッチングしたn-GaN結晶の表面ダメージ分析」, 応用物理学会 (2011.8).

川上, 武市, 小西, 森, 稲岡, 富永, 新部, 小高, 中野, 向井: 「容量性結合N2プラズマによるGaNエッチングダメージ」, 応用物理学会 (2011.8).

中野, 川上, 新部, 武市, 稲岡, 富永: 「プラズマエッチング損傷GaNのフォトルミネッセンス評価」, 応用物理学会 (2011.8).

中野, 色川, 住田, 八木, 河合: 「成長条件の異なるAlGaN/GaNヘテロ構造のDLOS評価」, 応用物理学会 (2011.8).

M.Lozac'h, Y.Nakano, K.Sakoda, M.Sumiya: "Schottky solar cells using transparent conductive polymer on III-V nitride thin films", 応用物理学会 (2011.3).

中野, 川上, 新部, 武市, 稲岡, 富永: 「GaNのプラズマエッチング損傷のフォトルミネッセンス評価」, 応用物理学会 (2011.3).

中村, 郭, 高, 中野, 菅井: 「誘導結合型プラズマ中の窒化ガリウム膜に対する高エネルギー電子の照射効果」, 応用物理学会 (2010.9).

中野, 松木, M.Lozac'h, 迫田, 角谷: 「ポリアニリン透明ショットキー電極を用いたGaN自立基板の電気的評価」, 応用物理学会 (2010.9).

高, 伊藤, 中野, 中村, 菅井: 「プロセスプラズマにおける高速電子線の発生と窒化物半導体のカソードルミネッセンス計測への適用（2）」）」, 電気関係学会東海支部連合大会 (2010.8).

伊藤, 高, 中野, 中村, 菅井: 「プロセスプラズマにおける高速電子線の発生と窒化物半導体のカソードルミネッセンス計測への適用（1）」, 電気関係学会東海支部連合大会 (2010.8).

中野, 色川, 住田, 河合: 「電流コラプス量の異なるAlGaN/GaN構造のDLOS評価」, 応用物理学会 (2010.3).

中野, 松木, 色川, 角谷: 「ポリアニリン透明ショットキー電極を用いたn-GaN膜のDLOS評価」, 応用物理学会 (2010.3).

松木, 中野, 色川, ロザック, 迫田, 角谷: 「透明導電性高分子/III族窒化物半導体ショットキー型太陽電池の界面構造」」, 応用物理学会 (2009.9).

松木, 色川, 中野, 角谷: 「透明導電性高分子とIII族窒化物半導体によるヘテロ接合太陽電池」, 第6回次世代の太陽光発電システムシンポジウム (2009.7).

中野, 色川, 竹口:「AlGaN/GaNヘテロ構造の界面電子物性評価」, 応用物理学会 (2009.3).

中野:「有機EL素子のトラップ分光の基礎とデバイス評価」, 高分子学会 有機EL研究会　(2008.10). /招待講演/

中野, 色川, 竹口:「Al0.3Ga0.7N/GaNヘテロ構造のDLOS評価」, 応用物理学会 (2008.9).

中野, 野田, 藤川:「a-NPD/Alq3発光層界面の輝度劣化前後のDLOS評価」, 応用物理学会 (2008.9).

中野, 佐伯, 森川:「反応性スパッタ法により形成したCu2O膜物性への結晶性の影響」, 応用物理学会 (2008.9).

中野, 佐伯, 森川:「反応性スパッタ法により形成したp型Cu2ON膜の光学バンドギャップ制御」, 応用物理学会 (2008.9).

中野:「窒素ドープ酸化チタン光触媒の可視光応答化」, 次世代半導体材料・デバイス開発のための欠陥エンジニアリングに関する研究会 (2007.12).

伊東, 中森, 上殿, 中野, 加地, 大平, 鈴木, 石橋:「低速陽電子ビームを用いたイオン注入GaNの欠陥評価(II)」, 応用物理学会 (2007.9).

中森, 伊東, 上殿, 中野, 加地, 大平, 鈴木, 石橋:「低速陽電子ビームを用いたイオン注入GaNの欠陥評価(I)」, 応用物理学会 (2007.9).

中野, 野田, 藤川, 森川, 大脇:「Alq3を用いた有機EL素子の発光層界面のDLOS評価」, 応用物理学会 (2007.3).

飯島, 後藤, 榎本, 椚田, 江馬, 中野, 森川, 塚本, 市川, 坂間:「窒素ドープ酸化チタン薄膜の光学特性」, 応用物理学会 (2007.3).

中野:「DLOS法によるAlq3膜のバンドギャップ内準位評価」, 学術創成研究「有機デバイス関連界面の解明と制御」公開シンポジウム (2006.10).

中野, 野田, 藤川, 森川, 大脇:「DLOS法によるAlq3膜のトラップ準位評価」, 応用物理学会 (2006.8).

中野, 森川, 大脇: 「反応性スパッタ法で作製したNドープZnO膜の可視光応答化」, 応用物理学会 (2006.8).

中野, 森川, 大脇, 多賀:「窒素ドープTiO2膜のDeep Level評価」, 応用物理学会 (2005.3).

色川, 藤島, 加地, 中野:「GaNへのSiイオン注入」, 応用物理学会 (2005.3).

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of N-Doped TiO2", 光機能材料研究会 第11回光触媒シンポジウム (2004.12).

中野, 加地, 神保: 「GaNへのBe+O同時イオン注入によるp型ドーピング」, 応用物理学会 (2003.3).

中野, 加地, 神保: 「熱酸化法で形成したn-GaN MOS構造の電気的評価」, 応用物理学会 (2003.3).

中野, 神保: 「GaNへのSi+N同時イオン注入によるn型ドーピング」, 応用物理学会 (2002.9).

中野, 神保: 「GaN:Mg膜のアクセプター準位の電気的評価」, 応用物理学会 (2002.3).

中野, 色川, 神保: 「n型GaN MISキャパシタにおける反転層の観察」, 応用物理学会 (2002.3).

中野, 加地: 「GaNにおけるGe活性化に及ぼうN/Ge同時イオン注入の効果」, 応用物理学会 (2001.3).

中野: 「GaNへのイオン注入技術」, 第6回エネルギー・ビーム工学研究会 (2001.3).

中野, 加地: 「GaNにおけるGe活性化に及ぼすN/Ge同時イオン注入の効果」, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第9回講演会 (2000.12).

中野, 加地, 只野: "Effect of C/B sequential implantation on the B acceptors in 4H-SiC", 第2回エネルギー・ビーム工学研究会 (2000.7).

受賞

研究費

JST 平成23-24年度A-STEP探索

立松財団 平成23年度海外調査研究助成

村田学術振興財団 平成23年度海外派遣援助

JST 先端的低炭素化技術開発事業(ALCA) (平成22-27年度) [分担]

科学研究費補助金 基盤研究(C) (平成22-24年度)

中部大学 特別研究費A (平成22-23年度)

中部電力基礎技術研究所 第21期(平成22年度)研究助成

立松財団 平成21年度海外調査研究助成

(独)物質・材料研究機構 平成21年度学独連携研究 特別ファンド

JST 平成21年度シーズ発掘試験A

日本板硝子材料工学助成会 2009年度(第31回)研究助成

材料科学技術振興財団(MST) 2009年度研究助成

東海広域知的クラスター (平成21-24年度) [分担]

カシオ科学振興財団 第25回(2008年度)研究助成

立松財団 第16回(2008年度)一般研究助成

中部大学 特別研究費A (平成20-21年度)

社会活動

JST 戦略的創造研究推進事業 先端的低炭素化技術開発事業(ALCA) 研究開発課題「III-V族窒化物太陽電池の高効率化と集光型デバイスへの展開」グループリーダー, 2010-2015年度

電気設備学会 中部支部 太陽光発電システム調査研究委員会 委員, 2010-2011年度

文部科学省・東海広域知的クラスター創成事業(第II期)「先進プラズマナノ科学」研究員, 2009-2012年度

知の拠点・重点研究プロジェクト研究会「クリーンエネルギー技術に基づく低炭素社会実現のための研究会」メンバー (愛知県・科学技術交流財団), 2008-2009年度

「次世代半導体材料・デバイス開発のための欠陥エンジニアリングに関する研究会」メンバー (科学技術交流財団), 2007-2008年度

「エネルギー・ビーム工学研究会」メンバー (科学技術交流財団), 2000-2001年度

American Institute of Physics [AIP] 論文査読員

その他

特許

特願2010-128021 「半導体基材の状態測定方法及び状態測定装置」

特願2010-137847 「水素ガス検知センサー及び水素ガス検知方法」

特願2010-50058 「半導体装置とその製造方法」

特願2009-233602「ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性の計測方法」

特願2009-162626「ガスセンサーとガス濃度測定方法」

US Patent 2008/0073652 (米国) "III-V HEMT DEVICES"

特願2008-66353「半導体材料および半導体素子」

特開2008-14668「有機デバイスの信頼性評価手法および評価装置」

特願2007-305828「半導体材料」

US Patent 7211839 (米国) "Group III Nitride Semiconductor Device"

EP1779438 (欧州) "III-V HEMT DEVICES"

特開2006-32749「半導体装置とその製造方法」

US Patent 6972459 (米国) "Metal oxide semiconductor transistor having a nitrogen cluster"

特開2004-356257「P型III族窒化物半導体の製造方法」

特開2004-260140「III族窒化物半導体を有する半導体素子」

特開2003-347234「III族窒化物膜の製造方法」

DE Patent 10225234 (ドイツ) "Metal oxide semiconductor transistor having a nitrogen cluster"

特開2002-368214「MOSトランジスタ」

特開2002-176004「III族窒化物半導体の製造方法及びIII族窒化物半導体素子」

特開2001-3581461「半導体装置および半導体基板の処理方法」

特許第3314509号「NOxガス検知半導体およびその製造方法」