井戸　敏之　IDO Toshiyuki

プロフィール

職名	教授
所属	工学部 電気システム工学科 大学院 工学研究科 電気電子工学専攻
最終学歴	名古屋大学大学院工学研究科
学位	工学博士（名古屋大学）
所属学会・役職	電気学会 電子情報通信学会 応用物理学会 日本結晶成長学会
専門分野	半導体物性、 結晶成長
研究テーマ	II−VI族化合物半導体材料の結晶成長と評価に関する研究
授業科目	電子物性学特別研究 （大学院） 、電気電子材料特論 （大学院） 、電気電子材料、電子回路基礎、ゼミナール

著書および訳書

インターユニバーシティ電気・電子材料 （共著）, オーム社, 1997

Properties of Wide Bandgap II-VI Semiconductors （共著）, INSPEC, IEE （London, UK）, 1997

学術論文、評論

Influence of Insulator Doping on Supercoducting Bi-System Supercoductor, Science and Engineering of HTC Supercoductivity Advaces in Sciecnce and Technology, Vol.23, 1999

Acceptor Level of Sb in ZnSe, Nonlinear Optics, Vol.18, No.2, 1997

The Impurity Doping in Widegap Semiconductor, Solid State Phenomena Vol.55, 1997

Deep Level Structure and Compensation Mechanism in In-Doped CdTe Crystals, J. Phys. Chem. Solid, Vol.48, No.9, 1987

Energy Bandgap and Lattice Constant Contours of II-VI　Quaternary Alloys, J. Electronic Materials, Vol.9, No.5, 1980

社会活動

応用物理学会東海支部評議員