中部大学

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教員情報

中野 由崇 NAKANO Yoshitaka

プロフィール

職名 教授
所属 工学部 電気電子システム工学科
工学部 電子情報工学科
大学院 工学研究科 電気電子工学専攻
総合工学研究所
最終学歴 早稲田大学 大学院 理工学研究科
学位 博士(工学)
所属学会・役職 応用物理学会
American Vacuum Society (AVS)
Electrochemical Society (ECS)
Materials Research Society (MRS)
専門分野 半導体物性デバイス
研究テーマ ワイドギャップ半導体の電子物性研究、酸化物・窒化物・有機エレクトロニクス、パワーデバイス、太陽光エネルギー変換工学
研究紹介PDF
授業科目 量子電子物理、電気・電子材料、電子回路基礎、物性デバイス特論、ナノテクノロジー概論
共同研究キーワード バンドギャップ電子物性計測、酸化物・窒化物半導体エレクトロニクス、有機半導体エレクトロニクス、パワーデバイス、太陽光エネルギー変換、界面電子物性

著書および訳書

角谷正友, 中野由崇: 新太陽エネルギー利用ハンドブック 第V編 「太陽光発電技術」, 2章 7節「化合物半導体材料 ―III-V族窒化物太陽電池の潜在力―」(分担執筆), 日本太陽エネルギー学会, 2013.

Y.Nakano: Trends in Applied Spectroscopy Vol.9, "Steady-State Photo-Capacitance Spectroscopy Investigation of Carbon-Related Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero-Structures Grown by MOCVD"(分担執筆), Research Trends, 2013.

中野由崇: GaNパワーデバイスの技術展開, 第4章 第2節「AlGaN/GaNヘテロ構造の欠陥準位評価」」(分担執筆), サイエンス&テクノロジー, 2012.

N.Matsuki, Y.Nakano, Y.Irokawa, M.Lozac'h, M.Sumiya: Solar Cells - New Aspects and Solutions, "Chapter 14: Transparent Conducting Polymer/Nitride Semiconductor Heterojunction Solar Cells" (分担執筆), Intech, 2011.

中野由崇: 可視光応答型光触媒の実用化技術, 第9章 第3節「半導体物性計測技術によるバンドギャップ内準位評価」(分担執筆), シーエムシー出版, 2010.

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki: Recent Research Developments in Materials Science Vol. 7, "Chapter 3: Visible-Light Sensitivity in N-Doped ZnO Films"(分担執筆), Research Signpost, 2007.

中野, 森川, 大脇, 多賀: 可視光応答型光触媒と光触媒応用製品―研究・開発・評価・実際技術―, 第3章「光触媒材料の半導体バンド構造解析について」(分担執筆), 技術教育出版社, 2006.

Y.Nakano: Recent Research Developments in Applied Physics Vol. 8, "Chapter 2: Ion-Implantation Doping and Gate Insulators for GaN Power Devices"(分担執筆), Transworld Research Network, 2006.

中野由崇: 可視光応答型光触媒―材料設計から実用化までのすべて―, 第9章 第3節「半導体物性計測技術によるバンドギャップ内準位評価」(分担執筆), シーエムシー出版, 2005.

学術論文、評論

学術論文(2000~)

K.Sano, M.Niibe, R.Kawakami, Y.Nakano: "Recovery of x-ray absorption spectral profile in etched TiO2 thin films", Journal of Vacuum Science & Technology A 33, 031403 (2015).

M.Chen, Y.Qiua, S.Yua, Y.Nakano, K.Nakamura: "A comparative study on GaN luminescence under/after inductively coupled plasma exposure", Philosophical Magazine Letters 95, 161-167 (2015).

R.Kawakamia, Y.Nakano, M.Niibe, T.Shirahama, T.Mukai: "Electrical Investigation of Deep-Level Defects Introduced in AlGaN/GaN Heterostructures by CF4 Plasma Treatments", ECS Solid State Letters 4(4), 36-38 (2015).

M.Sumiya, T.Honda, L.Sang, Y.Nakano, K.Watanabe, F.Hasegawa: "Improvement of strained InGaN solar cell performance with a heavily doped n+-GaN substrate", Physica Status Solidi A, 1–6 (2015). / DOI 10.1002/pssa.201431732

M.Chen, Y.Qiua, S.Yua, Y.Nakano, K.Nakamura: "In situ measurement of GaN film photoluminescence under plasma etching", Philosophical Magazine Letters 94(12), 772-778 (2014).

M.Chen, K.Nakamura, Y.Qiu, D.Ogawa, R.Kawakami, M.Niibe, Y.Nakano: "Optical and electrical investigation of Ar+-irradiated GaN", Applied Physics Express 7, 111003 (2014).

R.Kawakami, M.Niibe, Y.Nakano, T.Shirahama, K.Aoki, K.Oba, M.Takabatake, T.Mukai: "Damage characteristics of n-GaN thin film surfaces etched by ultraviolet light-assisted helium plasmas", Thin Solid Films 570, 81–86 (2014).

森川健志, 佐伯周, 荒井健男, 中野由崇:「二酸化炭素の光還元を目指した可視光応答性半導体の創製」, Electrochemistry 82, 502-506 (2014). /招待論文/

X.Huang, Y.Guo, J.Zhang, Y.Nakano, H.Sugai, K.Nakamura: "In situ monitoring of GaN substrate surface in ICP containing energetic electrons", Applied Surface Science Volume 292, 387–389 (2014).

M.Chen, K.Nakamura, Y.Nakano, Y.Qiu, Z.Jiao: "Photoluminescence of n-type GaN film in an argon plasma", Philosophical Magazine: Letters 94, 182-187 (2014).

R.Kawakami, M.Niibe, Y.Nakano, T.Shirahama, T.Yamada, K.Aoki, M.Takabatake, K.Tominaga, T.Mukai:"Damage characteristics of n-GaN thin film surfaces etched by N2 plasmas", Physica Status Solidi C 10, 1553–1556 (2013).

R.Kawakami, M.Niibe, Y.Nakano, M.Konishi, Y.Mori, A.Takeichi, K.Tominaga, T.Mukai: "Comparison between Damage Characteristics of p- and n-GaN Surfaces Etched by Capacitively Coupled Radio Frequency Argon Plasmas", Japanese Journal of Applied Physics 52, 05EC05 (2013).

M.Niibe, K.Sano, T.Kotaka, R.Kawakami, K.Tominaga, Y.Nakano: "Etching Damage and Its Recovery by Soft X-ray Irradiation Observed in Soft X-ray Absorption Spectra of TiO2 Thin Film", Journal of Applied Physics 113, 126101 (2013).

M.Lozac'h, Y.Nakano, L.Sang, K.Sakoda, M.Sumiya: "Fabrication of transparent conducting polymer/GaN Schottky junction for deep level defects evaluation under light irradiation", Physica Status Solidi (a) 210, 470-473 (2013). [front cover design]

Y.Nakano, K.Nakamura, M.Niibe, R.Kawakami, N.Ito, T.Kotaka, K.Tominaga: "Effect of UV Irradiation on Ar-Plasma Etching Characteristics of GaN", ECS Journal of Solid State Science and Technology 2, 110-113 (2013).

M.Niibe, T.Kotaka, R.Kawakami, Y.Nakano, T.Inaoka, K.Tominaga, T.Mukai: "Damage Analysis of n-GaN Crystal Etched with He and N2 Plasma", Japanese Journal of Applied Physics 52, 01AF04 (2013).

Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai: "Correlation between deep-level defects and turn-on recovery Characteristics in AlGaN/GaN hetero-structures", Journal of Applied Physics 112, 106103 (2012).

M.Lozac'h, Y.Nakano, L.Sang, K.Sakoda, M.Sumiya: "Study of Defect Levels in Band Gap for Thicker InGaN Film", Japanese Journal of Applied Physics 51, 121001 (2012).

M.Chen, K.Nakamura, Y.Nakano, S.Yu, H.Sugai: "In-situ photoluminescence monitoring of GaN in plasma exposure", Applied Physics Letters 101, 071105 (2012).

M.Chen, K.Nakamura, Y.Nakano, G.Zhang, H.Sugai: "In-situ Probe of GaN Film Surfaces under Plasma Conditions by Photoluminescence Technique", Applied Physics Express 5, 076201 (2012).

Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai: "Effect of Carbon Impurity Incorporation on Band-Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Structures", Electrochemical and Solid-State Letters 15(2), 44-47 (2011).

Y.Nakano, M.Lozac'h, N.Matsuki, K.Sakoda, M.Sumiya: "Photo-capacitance spectroscopy study of deep-level defects in free-standing n-GaN substrates using transparent conductive polymer Schottky contacts", Journal of Vaccum Science and Technology B 29, 023001 (2011).

Y.Guo, K.Nakamura, J.Zhang, Y.Nakano, H.Sugai: "Influence of High-Energy Secondary Electrons in Plasma Immersion Ion Implantation", Japanese Journal of Applied Physics 50, 01AA02 (2011).

Y.Nakano, N.Matsuki, Y.Irokawa, M.Sumiya: "Deep-Level Characterization of n-GaN Epitaxial Layers using Transparent Conductive Polyanikine Schottky Contacts", Japanese Journal of Applied Physics 50, 01AD02 (2011).

N.Matsuki, Y.Irokawa, Y.Nakano, M.Sumiya: "π-conjugated polymer/GaN Schottky solar cells", Solar Energy Materials & Solar Cells 95, 284-287 (2011).

N.Matsuki, Y.Nakano, Y.Irokawa, M.Sumiya: "Heterointerface Properties of Novel Hybrid Solar Cells Consisting of Transparent Conductive Polymer and III-Nitride Semiconductor", Journal of Nonlinear Optical Physics & Materials 19(4) 703-711 (2010).

Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai: "Photo-Capacitance Spectroscopy Investigation of Deep-Level Defects in AlGaN/GaN hetero- structures with different current collapses", physica status solidi (Rapid Research Letters 4, 374-376 (2010).

Y.Nakano: "Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of Degradation Phenomena in Tris(8-hydroxy quinoline) Aluminum-Based Organic Light-Emitting Diodes", Applied Physics Express 2, 092103 (2009).

Y.Irokawa, N.Matsuki, M.Sumiya, Y.Sakuma, T.Sekiguchi, T.Chikyo, Y.Sumida, Y.Nakano: "Low-Frequency Capacitance-Voltage Study of Hydrogen Interaction with Pt-AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes", Physica Status Solidi (Rapid Research Letters) 3, 266-268 (2009).

Y.Nakano, S.Saeki, T.Morikawa: "Optical bandgap widening of p-type Cu2O films by nitrogen doping", Applied Physics Letters 94, 022111 (2009).

Y.Nakano, Y.Irokawa, M.Takeguchi: "Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of Band Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Interfaces", Applied Physics Express 1, 091101 (2008).

Y.Nakano, K.Noda, H.Fujikawa, T.Morikawa: "Emissive Interface States in Organic Light-Emitting Diodes Based on Tris(8-Hydroxyquinoline) Aluminum", Japanese Journal of Applied Physics 47(1), 464 (2008).

A.Uedono, K.Ito, H.Nakamori, K.Mori, Y.Nakano, T.Kachi, S.Ishibashi, T.Ohdaira, R.Suzuki: "Annealing Properties of Vacancy-Type Defects in Ion-Implanted GaN Studied by Monoenergetic Positron Beams", Journal of Applied Physics 102, 084505 (2007).

Y.Nakano, K.Noda, H.Fujikawa, T.Morikawa: "Deep-Level Characterization of Emissive Interface States in Alq3-Based OLEDs", physica status solidi (Rapid Research Letters) 1, 196 (2007).

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Origin in Visible-Light Sensitivity in N-Doped TiO2 Films", Chemical Physics 339, 20 (2007). /invited/

Y.Nakano, K.Noda, H.Fujikawa, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Deep-Level Characterization of Tris(8-Hydroxyquinoline) Aluminum with and without Quinacridone Doping", Japanese Journal of Applied Physics 46(4B), 2636 (2007).

Y.Nakano, K.Noda, H.Fujikawa, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Trap Levels in Tris(8-Hydroxyquinoline) Aluminum Studied by Deep-Level Optical Spectroscopy", Applied Physics Letters 88, 252104 (2006).

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Electrical Characterization of p-Type N-Doped ZnO Films Prepared by Thermal Oxidation of Sputtered Zn3N2 Films", Applied Physics Letters 88, 172103 (2006).

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Deep-Level Characterization of N-Doped ZnO Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering", Applied Physics Letters 87, 232101 (2005).

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Electrical Characterization of Band Gap States in C-Doped TiO2 Films", Applied Physics Letters 87, 052111 (2005).

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of N-Doped TiO2 Films", Applied Physics Letters 86, 132104 (2005).

Y.Irokawa, O.Fujishima, T.Kachi, Y.Nakano: "Electrical Activation Characteristics of Silicon-Implanted GaN", Journal of Applied Physics 97, 083505 (2005).

Y.Nakano, O.Fujishima, T.Kachi, K.Abe, O.Eryu, K.Nakashima, T.Jimbo: "N-Type Doping Characteristics of O-Implanted AlGaN", Journal of The Electrochemical Society 151, G801 (2004).

Y.Nakano, O.Fujishima, T.Kachi: "Effect of Activation Ambient on Acceptor Levels in Mg-Doped GaN", Journal of Applied Physics 96, 415 (2004).

Y.Nakano, O.Fujishima, T.Kachi: "High-Temperature Annealing Behavior of p-Type Doping Characteristics in Mg-Doped GaN", Journal of The Electrochemical Society 151, G574 (2004).

Y.Irokawa, Y.Nakano, M.Ishiko, T.Kachi, J.Kim, F.Ren, B.P.Gila, A.H.Onstine, C.R.Abernathy, S.J.Pearton, C.-C.Pan, G.-T.Chen, and J.-I.Chyi: "MgO/p-GaN Enhancement Mode Metal-Oxide-Semiconductor", Applied Physics Letters 84, 2919 (2004).

中野, 土屋, 坂田: 「CVD法と熱処理で作製した多結晶Si膜の粒界物性評価」, 電気学会論文誌E 142, 14 (2004).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "N-Type Doping Characteristics of O-Implanted GaN", Journal of Vacuum Science and Technology B 21, 2602 (2003).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Characteristics of SiO2/n-GaN Interfaces with b-Ga2O3 Interlayers", Applied Physics Letters 83, 4336 (2003).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Inversion Behavior in Thermally Oxidized p-GaN Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors", Journal of Vacuum Science and Technology B 21, 2220 (2003).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Electrical Properties of Thermally Oxidized p-GaN Metal-Oxide-Semiconductor Diodes", Applied Physics Letters 82, 2443 (2003).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Effect of Be++O+ Co-Implantation on Be Acceptors in GaN", Applied Physics Letters 82, 2082 (2003).

Y.Nakano, T.Jimbo: "Electrical Properties of SiO2/n-GaN Metal-Insulator-Semiconductor Diodes", Journal of Vacuum Science and Technology B 21, 1364 (2003).

Y.Nakano, T.Jimbo: "Interface Properties of Thermally Oxidized n-GaN Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors", Applied Physics Letters 82, 218 (2003).

Y.Nakano, T.Jimbo: "Electrical Characterization of Acceptor Levels in Be-Implanted GaN", Applied Physics Letters 81, 3990 (2002).

Y.Nakano, T.Jimbo: "Electrical Characterization of Acceptor Levels in Mg-Doped GaN", Journal of Applied Physics 92, 5590 (2002).

Y.Nakano, M.Ishiko, H.Tadano: "Deep Level Centers in Silicon Introduced by High-Energy He Irradiation and Subsequent Annealing", Journal of Vacuum Science and Technology B 20, 379 (2002).

Y.Nakano, T.Jimbo: "Structural Defects and Electrical Properties of N/Ge Co-Implanted GaN", Defect and Diffusion Forum 206-207, 75-85 (2002). /invited/

Y.Nakano, T.Jimbo: "Co-Implantation of Si+N into GaN for N-Type Doping", Journal of Applied Physics 92, 3815 (2002).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "N/Ge Co-Implantation into GaN for N-Type Doping", Japanese Journal of Applied Physics 41, 2522 (2002).

Y.Nakano, T.Jimbo: "Interface Properties of SiO2/n-GaN Metal-Insulator-Semiconductor Structures", Applied Physics Letters 80, 4756 (2002).

Y.Nakano, T.Kachi: "Defects in N/Ge Coimplanted GaN Studied by Positron Annihilation", Journal of Applied Physics 91, 884 (2002).

Y.Irokawa, Y.Nakano: "Observation of Inversion Behavior in N-Type GaN Planar Metal-Insulator-Semiconductor Capacitor", Solid-State Electronics 46, 1467 (2002).

Y.Nakano, T.Kachi: "Current Deep-Level Transient Spectroscopy Investigation of Acceptor Levels in Mg-Doped GaN", Applied Physics Letters 79, 1631 (2001).

Y.Nakano, R.K.Malhan, T.Kachi, H.Tadano: "Effect of C and B Sequential Implantation on the B Acceptors in 4H-SiC", Journal of Applied Physics 89, 5961 (2001).

Y.Nakano, T.Kachi: "Effect of N/Ge Co-Implantation on the Ge Activation in GaN", Applied Physics Letters 79, 1468 (2001).

Y.Nakano, M.Ishiko, H.Tadano, U.Myler, P.Simpson: "Thermal Behavior of He-Irradiated Defects in Silicon", Journal of Crystal Growth 210, 80 (2000).

国際会議プロシーディングス(2000~)

M.Niibe, T.Kotaka, R.Kawakami, Y.Nakano, T.Mukai: "Etching Damage Analysis of n-GaN Crystals Etched with N2-Plasma Using Soft X-Ray Absorption Spectroscopy",

Proceedings of International Symposium of Dry Process 2014, pp.75-76 (2014).

R.Kawakami, M.Niibe, Y.Nakano, T.Shirahama, S.Hirai, T.Mukai: "Morphological and Compositional Changes in AlGaN Surfaces Etched by RF Capacitively Coupled Carbon Tetrafluoride and Argon Plasmas", Proceedings of International Symposium of Dry Process 2014, pp.69-70 (2014).

D.Ogawa, Y.Nakano, K.Nakamura:“Effect of Liquid Nitrogen Cooling on GaN Film Exposed in Low Pressure Plasma”, Proceedings of International Symposium of Dry Process 2014, pp.67-68 (2014).

Yoshitaka Nakano, Yoshihiro Irokawa, Masatomo Sumiya, Yasunobu Sumida, Shuichi Yagi, Hiroji Kawai: "Carbon-Related Deep-Level Defects and Turn-On Recovery Characteristics in AlGaN/GaN Hetero-Structures", Materials Research Society Symposium Proceedings 1635, MRSF13-1635-T02-08 (2014).

Yoshitaka Nakano, Liwen Sang, Masatomo Sumiya: "Electrical Characterization of Thick InGaN Films for Photovoltaic Applications", Materials Research Society Symposium Proceedings 1635, MRSF13-1635-T06-02 (2014).

R.Kawakami, M.Niibe, Y.Nakano, M.Konishi, Y.Mori, H.Takeuchi, T.Shirahama, T.Yamada, T.Tominaga: "Characteristics of TiO2 Surfaces Etched by Capacitively Coupled Radio Frequency N2 and He Plasmas", Journal of Physics: Conference Series 441, 012038 (2013).

R.Kawakami, M.Niibe, Y.Nakano, M.Konishi, Y.Mori, A.Takeichi, K.Tominaga, T.Mukai, "Damage Characteristics of p-GaN Surfaces Etched by Capacitively Coupled Radio Frequency Argon Plasmas", Proceedings of International Symposium of Dry Process 2012, 133-134 (2012).

Y.Nakano: "Correlation between Deep-Level Defects and Carrie Trapping in AlGaN/GaN Hetero-Structures", 11th International Symposium on Advanced Technology Proceedings 107-108 (2012). /invited/

M.Sumiya, A.Uedono, Y.Nakano, T.Honda: "Potential of III-V Nitride Films for the Application to Photovoltaic Device", 11th International Symposium on Advanced Technology Proceedings 109-110 (2012). /invited/

Y.Nakano, R.Kawakami, M.Niibe, A.Takeichi, T.Inaoka, K.Tominaga: "Photoluminescence Study of Damage Introduced in GaN by Ar- and Kr-Plasmas Etching", Materials Research Society Symposium Proceedings 1396, 1396-o07-36 1-6 (2012).

Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, and H.Kawai: "Investigation of Band-Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Structures with Different Growth Conditions of GaN Buffer Layers", Materials Research Society Symposium Proceedings 1396, 1396-o07-37 1-6 (2012).

Y.Nakano, M.Lozac'h, N.Matsuki, K.Sakoda, M.Sumiya: "Deep-Level Characterization of Free-Standing HVPE-grown GaN Substrates Using Transparent Conductive Polyaniline Schottky Contacts", Materials Research Society Symposium Proceedings 1309, 1309-ee06-41 1-6 (2011).

Y.Nakano,Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi,H.Kawai: "Correlation between Deep-Level Defects and Current Collapses in AlGaN/GaN Hetero-Structures Probed by Steady-State Photo-Capacitance Spectroscopy", Materials Research Society Symposium Proceedings 1309, 1309-ee06-40 1-6 (2011).

Y.Irokawa, M.Matsuki, M.Sumiya, Y.Sakuma, T.Sekiguchi, T.Chikyo, Y.Sumida, Y.Nakano: "Anomalous capacitance-voltage characteristics of Pt-AlGaN/GaN Schottky diodes exposed to hydrogen", physica status solidi (c) 7, 1928-1930 (2010).

Y.Nakano, N.Matsuki, Y.Irokawa, M.Sumiya: "Electrical Characterization of n-GaN Using Transparent Polyaniline Schottky Contacts", physica status solidi (c) 7, 2007-2009 (2010).

Y.Nakano: "Intrinsic Degradation in Alq3-Based OLEDs Probed by Deep-Level Optical Spectroscopy", Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.1212, 1212-S03-01 (2010).

Y.Nakano, Y.Irokawa, M.Takeguchi: "Band Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Interface Studied by Deep-Level Optical Spectroscopy", Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.1202, 1202-I09-03 (2010).

Y.Nakano, S.Saeki, T.Morikawa: "Nitrogen-Doping Induced Optical Bandgap Widening of P-Type Cu2O Films", Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.1217, 1217-Y03-38 (2010).

Y.Nakano, K.Noda, H.Fujikawa, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Deep-Level Characterization of Tris(8-Hydroxyquinoline) Aluminum with and without Quinacridone Doping", Materials Research Society Symposium Proceedings Volume 965E, S09-21 (2007). [Electronic paper]

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki: "Visible-Light Sensitivity in N-Doped ZnO Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering", Materials Research Society Symposium Proceedings Volume 957, K07-57 (2007).

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Band-Gap Narrowing of TiO2 Films Induced by N Doping", Physica B: Condensed Matter 376-377, 823 (2006).

Y.Irokawa, Y.Nakano, M.Ishiko, T.Kachi, J.Kim, F.Ren, B.P.Gila, A.H.Onstine, C.R.Abernathy, S.J.Pearton, C.-C.Pan, G.-T.Chen, J.-I.Chyi: "GaN Enhancement Mode Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistors", Physica Status Solidi (c) 2, 2668 (2005).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Defects in N/Ge and N/Si Co-Implanted GaN", Materials Science in Semiconductor Processing 6, 515 (2004).

Y.Nakano, T.Jimbo: "Electrical Characterization of Acceptor Levels in Mg-Doped GaN", Physica Status Solidi (c) 0, 438 (2002).

Y.Nakano, T.Jimbo: "Inversion Behavior in SiO2/n-GaN Metal-Insulator-Semiconductor Structures", Physica Status Solidi (b) 234, 859 (2002).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Doping Characteristics and Structural Defects in N/Ge Co-Implanted in GaN", Institute of Physics Conference Series No.170 Chapter 9 (2002). [CD-ROM]

Y.Nakano, T.Kachi, H.Tadano, R.K.Malhan: "Effect of C/B Co-Implantation on the B Acceptors in 4H-SiC", Materials Research Society Symposium Proceedings 640 (2001) [CD-ROM].

Y.Nakano, T.Kachi, H.Tadano, R.K.Malhan: "Effect of C/B Sequential Implantation on the B acceptor in 4H-SiC", Journal of Crystal Growth 210, 283 (2000).

総説・解説

中野: "Electrical Characterization of Thick InGaN Films Grown by MOCVD for Photovoltaic Applications", 中部大学 総合工学研究所 紀要 26, 1-7 (2014).

中野: "Carbon-Related Deep-Level Defects and Turn-On Recovery Characteristics in AlGaN/GaN Hetero-Structures Grown by MOCVD", 中部大学 総合工学 25, 13-20 (2013).

角谷, L.Sang, 中野, 上殿: 「III-V窒化物太陽電池」, 未来材料 12, 15-20 (2012).

M.Niibe, T.Kotaka, R.Kawakami, Y.Nakano, T.Mukai: "Damage Analysis of n-GaN Etched with He and N2 Plasmas", 兵庫県立大学 ニュースバル放射光施設 LASTI Annual Report 2011 Vol.13, 51-52 (2012).

中野: "Photoluminescence Study of Plasma Etching-Induced Damage in GaN", 中部大学 総合工学 24, 78-83 (2012).

中野: 「光容量分光法によるAlGaN/GaNヘテロ構造における欠陥準位と電流コラプス現象の相関」, 村田学術振興財団 年報 25, 902-903 (2011).

中野: "Correlation between Current Collapse Phenomena and Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero-Structures Probed by Deep-Level Optical Spectroscopy", 中部大学 総合工学 23, 16-21 (2011).

中野: 「AlGaN/GaNヘテロ接合界面のバンドギャップ内準位計測」, カシオ科学振興財団 年報, 86-87 (2010).

中野: "Intrinsic Degradation in Alq3-Based OLEDs Probed by Deep-Level Optical Spectroscopy", 中部大学 総合工学 22, 23-29 (2010).

中野:「DLOS法による有機EL素子の発光層界面のバンド構造解析」, 中部大学 総合工学 21, 151-154 (2009).

大脇, 森川, 青木, 鈴木, 伊藤, 中野, 旭, 正木, 多賀:「窒素ドープ酸化チタンによる可視光応答型光触媒の開発」, 豊田自動織機技報 第53号, 46 (2007).

中野:「7.7.2 TiO2系透明導電膜の研究開発動向」, (財)光産業技術振興協会(OITDA) 平成18年度光技術動向調査報告書 442 (2007).

中野, 森川, 大脇, 多賀:「光触媒材料の半導体バンド構造解析について」, 光機能材料研究会 会報光触媒 第19号, 29 (2006).

中野, 井上, 土屋, 坂田, 多賀:「多結晶Si膜の粒界キャラクタリゼーション」, 豊田中央研究所 R & D レビュー Vol.34, No.1, 11 (1999).

講演、シンポジウム、学会発表

国際会議(2000~)

Y.Nakano, Y.Irokawa, M.Sumiya, S.Yagi, H.Kawai: "Carbon-Related Deep-Level Defects and Carrier-Trapping Characteristics in AlGaN/GaN Hetero-Structures", 7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials/8th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2015/IC-PLANTS2015), Nagoya, March 28 (2015).

Y.Nakano, M.Chen, D.Ogawa, K.Nakamura, R.Kawakami, M.Niibe: "Generation Behavior of Deep-Level Defects in Ar+-Irradiated GaN", 7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials/8th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2015/IC-PLANTS2015), Nagoya, March 28 (2015).

M.Niibe, T.Kotaka, R.Kawakami, Y.Nakano, T.Mukai: "Etching Damage Analysis of n-GaN Crystals Etched with N2-Plasma Using Soft X-Ray Absorption Spectroscopy", International Symposium of Dry Process 2014, Tokyo, November (2014).

R.Kawakami, M.Niibe, Y.Nakano, T.Shirahama, S.Hirai, T.Mukai: "Morphological and Compositional Changes in AlGaN Surfaces Etched by RF Capacitively Coupled Carbon Tetrafluoride and Argon Plasmas", International Symposium of Dry Process 2014, Tokyo, November (2014).

D.Ogawa, Y.Nakano, K.Nakamura:“Effect of Liquid Nitrogen Cooling on GaN Film Exposed in Low Pressure Plasma", International Symposium of Dry Process 2014, November (2014).

S.Hirai, M.Niibe, T.Shirahama, R.Kawakami, Y.Nakano, T.Mukai: "Surface Analysis of Thick AlGaN Films Treated by Ar and CF4 Plasma Etching", The 7th International Symposium on Surface Science (ISSS-7), Matsue, Nov. (2014).

M.Niibe, T.Kotaka, R.Kawakami, Y.Nakano, T.Mukai: "Damage Characteristics of n-GaN Crystal Etched with N2 Plasma by Soft X-ray Absorption Spectroscopy", The 7th International Symposium on Surface Science (ISSS-7), Matsue, Nov. (2014).

K.Sano, M.Niibe, R.Kawakami, Y.Nakano: "Spectral Recovery of Etching Damage of TiO2 Thin Films Observed in XAS Spectra",

The 7th International Symposium on Surface Science (ISSS-7), Matsue, Nov. (2014).

F.Hasegawa, Y.Nakano, T.Honda, M.Sumiya: "Influence of GaN/InGaN Hetero Interface on an InGaN Solar Cell", International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014), Wroclaw Poland, August 25 (2014).

M.Sumiya, L.Sang, F.Hasegawa, Y.Nakano, "Effect of Strain on Solar Cell Performance for GaN/InGaN/GaN Structures", International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014), Wroclaw Poland, August 25 (2014).

Y.Nakano, Y.Irokawa, M.Sumiya, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai: "Deep-Level Defects and Turn-On Recovery Characteristics in AlGaN/GaN Hetero-Structures Containing Various Carbon Concentrations", 2013 Materials Research Society Fall meeting (2013.12, Boston, USA).

Y.Nakano, L.Sang, M.Sumiya, F.Hasegawa: "Electrical Characterization of p-i-n Junction Based on Thick i-InGaN Film for Photovoltaic Applications", 2013 Materials Research Society Fall meeting (2013.12, Boston, USA).

Y.Nakano, L.Sang, M.Sumiya: "Deep-Level Characterization of Thick InGaN Films with Various In Contents for Photovoltaic Applications", 2013 Materials Research Society Fall meeting (2013.12, Boston, USA).

Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai: "Carbon-Related Deep-Level Defects and Turn-On Recovery Characteristics in AlGaN/GaN Hetero-Structures", 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (2013.9, Hakodate).

Y.Nakano, M.Niibe, M.Lozac'h, L.Sang, M.Sumiya: "Electrical Investigation of p-i-n Junction Based on Thick i-InGaN Film", 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (2013.6, Kanazawa).

Y.Nakano, M.Niibe, M.Lozac'h, L.Sang, M.Sumiya: "Electrical Characterization of Thick InGaN Films with Various In Contents for Photovoltaic Applications", 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (2013.6, Kanazawa).

R.Kawakami, M.Niibe, Y.Nakano, M.Konishi, T.Shirahama, K.Tominaga, T.Mukai: "Damage Characteristics of n-GaN Thin Film Surfaces Etched by Ultraviolet Light-assisted Helium Plasmas", 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (2013.6, Kanazawa).

M.Niibe, K.Sano, T.Kotaka, R.Kawakami, K.Tominaga, Y.Nakano: "Etching Damage and Its Recovery by Soft X-ray Irradiation Observed in Soft X-ray Absorption Spectra of TiO2 Thin Film", 38th International Conference on International conference on Vacuum Ultraviolet and X-ray Physics (2013.7, China).

M.Sumiya, Y.Nakano, L.Sang, M.Lozac'h, F.Hasegawa: "Electrical characterization of InGaN p-i-n junction and solar cell property", 6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor (2013.5, Taiwan)

R.Kawakami, M.Niibe, Y.Nakano, M.Konishi, Y.Mori, T.Shirahama, T. Yamada, K. Tominaga, T. Mukai: "Damage Characteristics of n-GaN Thin Film Surfaces Etched by N2 Plasmas", International Symposium on Compound Semiconductors 2013 (2013.5, Kobe).

Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai: "Carbon-Related Deep-Level Defects and Turn-On Recovery Characteristics in AlGaN/GaN Hetero-Structures", 40th International Symposium on Compound Semiconductors (2013.5, Kobe).

Y.Nakano, K.Nakamura, M.Niibe, R.Kawakami, N.Ito, T.Kotaka, K.Tominaga: "Effect of UV Irradiation on Ar-Plasma Etching Characteristics of GaN", 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (2013.1, Nagoya).

M.Chen, K.Nakamura, Y.Nakano, H.Sugai: "In-situ photo luminescence observation of GaN thin film exposed in inductively-coupled plasmas", 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (2013.1, Nagoya).

Y.Nakano, M.Niibe, M.Lozac’h, L.Sang, M.Sumiya: "Deep level investigation of thick InGaN films", 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (2013.1, Nagoya).

K.Nakamura, M.Chen, Y.Nakano, H.Sugai: "In-situ Photoluminescence Measurements of GaN Films Exposed to Inductively-Coupled Plasmas", 34th International Symposium on Dry Process (2012.11, Tokyo).

R.Kawakami, M.Niibe, Y.Nakano, M.Konishi, Y.Mori, A.Takeichi, K.Tominaga, T.Mukai: "Damage Characteristics of p-GaN Surfaces Etched by Capacitively Coupled Radio Frequency Argon Plasmas", 34th International Symposium on Dry Process (2012.11, Tokyo).

K.Nakamura, M.Chen, Y.Nakano, H.Sugai: "In-situ Monitoring of Surface Modification of GaN Films Exposed to Inductively-Coupled Plasmas", 65th Annual Gaseous Electronics Conference (2012.10, USA)

Y.Nakano: "Correlation between Deep-Level Defects and Current Collapses in AlGaN/GaN Hetero-Structures (invited)", 11th International Symposium on Advanced Technology (2012.10, Tokyo).

M.Sumiya, A.Uedono, Y.Nakano, T.Honda: "Potential of III-V Nitride Films for the Application to Photovoltaic Device (invited)", 11th International Symposium on Advanced Technology (2012.10, Tokyo).

M.Niibe, T.Kotaka, K.Sano, R.Kawakami, K.Tominaga, Y.Nakano: "Etching Damage Analysis of TiO2 thin film with Soft X-ray Absorption Spectroscopy", 25th International Conference on Atomic Collisions in Solids (2012.10, Kyoto).

Y.Nakano, K.Nakamura, M.Niibe, R.Kawakami, N.Ito, T.Kotaka, K.Tominaga: "Effect of UV irradiation on Ar-plasma etching of GaN", International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (2012.10, Sapporo).

Y.Nakano, M.Lozac’h, L.Sang, M.Sumiya: "Electrical investigation of band-gap states in thicker InGaN films", International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (2012.10, Sapporo).

Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai: "Correlation between turn-on recovery characteristics and deep-level defects in AlGaN/GaN hetero-structures", International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (2012.10, Sapporo).

R.Kawakami, M.Niibe, Y.Nakano, M.Konishi, Y.Mori, T.Shirahama, T.Yamada, K.Tominaga: "Characteristics of TiO2 Surfaces Etched by Capacitively Coupled Radio Frequency N2 and He Plasmas", 11th Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology and 25th Symposium on Plasma Science for Materials (2012.10, Kyoto).

M.Sumiya, L.Sang, M.Lozac’h, Y.Nakano: "Growth and deep level defect evaluation of InGaN films for the application of photovoltaic devices", 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (2012.7, Russia).

M.Chen, K.Nakamura, Y.Nakano, H.Sugai: "In-situ photoluminescence monitoring of GaN in plasma exposure", 4th International Conference on Microelectronics and Plasma Technology (2012.7, Korea).

M.Lozac'h, Y.Nakano, L.Sang, K.Sakoda, M.Sumiya: "Schottky properties enhanced by using compensated Mg doped InGaN thin films material at interface metal-InGaN", 4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (2012.3, Kasugai).

Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai: "Effect of Carbon Impurity Incorporation on Band-Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Structures", 4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (2012.3, Kasugai).

M.Niibe, T.Kotaka, R.Kawakami, Y.Nakano, T.Inaoka, K.Tominaga, T.Mukai: "Damage Analysis of n-GaN Crystals Etched with He and N2 Plasma", 4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (2012.3, Kasugai).

M.Chen, K.Nakamura, Y.Nakano, H.Sugai: "In-situ observation of optical fluorescence of GaN thin film induced by photoluminescence technique in plasma condition", 4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (2012.3, Kasugai).

Y.Nakano, R.Kawakami, M.Niibe, A.Takeichi, T.Inaoka, K.Tominaga: "Photoluminescence Study of Plasma-Induced Etching Damages in GaN", Materials Research Society 2011 Fall Meeting (2011.11, USA).

Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, and H.Kawai: "Steady-State Photo-capacitance Spectroscopy Investigation of Band-Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Structures with Different Growth Conditions", Materials Research Society 2011 Fall Meeting (2011.11, USA).

Y.Guo, Q.Yang, J.Zhang, D.Wang, Y.Nakano, H.Sugai, K. Nakamura, J.Shi: "In situ monitoring damage density of GaN substrate surface in ICP containing energetic electrons", The 20th International Symposium on Plasma Chemistry (2011.7, USA).

Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, and H.Kawai: "Correlation between Current Collapses and Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero-Structures Probed by Photo-Capacitance Spectroscopy", 9th International Conference on

Nitride Semiconductors (2011.7, UK).

M.Lozac'h, Y.Nakano, K.Sakoda and M.Sumiya: "Properties of III-V nitride thin film Schottky solar cells using transparent conductive polymer", 5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (2011.5, Toba).

J.S.Gao, T.Kondou, N.Ito, Y.Nakano, K.Naamura, H.Sugai: "Generation of High Energy Electron Beams and Its Application for Cathode Luminescence Measurements of Gallium Nitride Semiconductor in Inductively-Coupled Plasmas", 3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (2011.3, Nagoya).

N.Ito, J.Gao, Y.Nakano, K.Nakamura, H.Sugai: "Photoluminescence Study of Plasma-Induced Damage in GaN", 3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (2011.3, Nagoya).

Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai: "Correlation between Current Collapses and Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero-Structures Probed by Photo-Capacitance Spectroscopy", 3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (2011.3, Nagoya).

J.S.Gao, T.Kondou, N.Ito, Y.Nakano, K.Nakamura, H.Sugai: "Generation of High Energy Electron Beams and Its Application for Cathode Luminescence Measurements of Gallium Nitride Semiconductor in Inductively-Coupled Plasmas", 4th International Conference on Plasma-NanoTechnology & Science (2011.3, Takayama).

Y.Nakano: "Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of Intrinsic Degradation in Alq3- and Alq3:Qd-Based OLEDs", Materials Research Society 2010 Fall Meeting (2010.11, USA).

Y.Nakano, N.Matsuki, M.Lozac'h, K.Sakoda, M.Sumiya: "Deep-Level Optical Characterization of Free-Standing HVPE GaN Substrates and MOCVD GaN films Using Transparent Conductive Polyaniline Schottky Contacts", Materials Research Society 2010 Fall Meeting (2010.11, USA).

Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, H.Kawai: "Current Collapses in AlGaN/GaN Hetero-structures Studied by Deep-level Optical Spectroscopy", Materials Research Society 2010 Fall Meeting (2010.11, USA).

K.Nakamura, Y.Guo, J.Gao, Y.Nakano, H.Sugai: "Optical Luminescence of GaN Thin Films Induced by High Energy Electrons in Inductively-Coupled Plasmas", The 32nd International Symposium on Dry Process (2010.11, Tokyo).

K.Nakamura, Y.Guo, J.Gao, Y.Nakano, H.Sugai: "Irradiation of High Energy Electrons onto GaN Thin Films and Observation of its Optical Luminescence in Inductively-Coupled Plasmas", 7th International Conference on Reactive Plasmas/ 63rd Gaseous Electronics Conference/ 28th Symposium on Plasma Processing (2010.10, France).

Y.Nakano, N.Matsuki, Y.Irokawa, Masatomo Sumiya: "Deep-Level Characterization of n-GaN Using Transparent Polyaniline Schottky Contacts", The Third International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (2010.6, Toyama).

Y.Nakano: "Deep-Level Optical Spectroscopy Study of Intrinsic Degradation in Alq3- and Alq3:Qd-Based Organic Light-Emitting Diodes", The Third International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (2010.6, Toyama).

N.Matsuki,Y.Nakano, Y.Irokawa, M.Sumiya: "Heterointerface Properties of Novel Hybrid Solar Cells consisting of Transparent Conductive Polymers and III-Nitride Semiconductor", The International Conference on Nanophotonics 2010 (2010.5, Tsukuba).

Y.Guo, K.Nakamura, J.Shi, J.Zhang, Y.Nakano, H.Sugai: "Influence of High-Energy Secondary Electrons in Plasma Immersion Ion Implantation", 2nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (2010.3, Nagoya).

Y.Nakano, N.Matsuki, Y.Irokawa, M.Sumiya: "Deep-Level Optical Spectroscopy Study of Band Gap States in n-GaN Epilayers Using Transparent Polyaniline Schottky Contacts", 2nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (2010.3, Nagoya).

Y.Nakano, S.Saeki, T.Morikawa: "Optical bandgap widening of p-type Cu2O films by nitrogen doping", Materials Research Society 2009 Fall Meeting (2009.11, USA).

Y.Nakano, K.Nakamura, Y.Irokawa, M.Takeguchi: "Deep-Level Optical Spectroscopy Study of Interface States in AlGaN/GaN Hetero-Structure", Materials Research Society 2009 Fall Meeting (2009.11, USA).

Y.Nakano: "Degradation in Alq3-Based OLEDs Studied by Deep-Level Optical Spectroscopy", Materials Research Society 2009 Fall Meeting (2009.11, USA).

Y.Nakano, K.Nakamura, Y.Irokawa, M.Takeguchi: "Interface States in AlGaN/GaN hetero-structure Probed by Deep-level Optical Spectroscopy", 8th International Conference on Nitride Semiconductors (2009.10, Korea).

Y.Irokawa,M. Matsuki, M.Sumiya, Y.Sakuma, Y.Sumida, Y.Nakano: "Anomalous capacitance-voltage characteristics of Pt-AlGaN/GaN Schottky diodes exposed to hydrogen", 8th International Conference on Nitride Semicon6ductors (2009.10, Korea).

Y.Nakano, N.Matsuki, Y.Irokawa, M.Sumiya: "Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of Band Gap States in n-GaN Epilayers Using Transparent Polyaniline Schottky Contacts", 8th International Conference on Nitride Semiconductors (2009.10, Korea).

Y.Nakano, K.Nakamura, Y.Irokawa, M.Takeguchi: "Band Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Interface Studied by Deep-Level Optical Spectroscopy", 13th International Conference on Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (2009.9, USA).

Y.Nakano: "Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of Degradation in Alq3-Based OLEDs", 13th International Conference on Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (2009.9, USA).

Y.Nakano, K.Nakamura, Y.Irokawa, M.Takeguchi: "Band Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Interface Probed by Deep-Level Optical Spectroscopy", 8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (2009.8, Nagano).

Y.Nakano, K.Noda, H.Fujikawa, T.Morikawa: "Interfacial Electronic States in Alq3/α-NPD-Based Organic Light-Emitting Diodes Studied by Deep-Level optical Spectroscopy", 12th International Conference on Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (2007.9, Germany).

Y.Nakano, K.Noda, H.Fujikawa, T.Morikawa: "Deep-Level Characterization of Tris(8-Hydroxyquiniline) Aluminum with and without Quinacridone Doping", 12th International Conference on Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (2007.9, Germany) .

Y.Nakano, K.Noda, H.Fujikawa, T.Morikawa: "Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of Interfacial Trap States in Alq3/α-NPD-Based Organic Light-Emitting Diodes", 2007 International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (2007.6, Nagano).

T.Ohwaki, T.Morikawa, K.Aoki, K.Suzuki, T.Ito, R.Asahi, Y.Nakano, Y.Oota, Y.Mitsubori: "Fundamentals and Applications of Visible-Light Photocatalyst", Materials Research Society 2006 Fall Meeting (2006.11, USA).

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki: "Visible-Light Sensitivity for N-Doped ZnO Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering", Materials Research Society 2006 Fall Meeting (2006.11, USA).

Y.Nakano, K.Noda, H.Fujikawa, T.Morikawa, T.Ohwaki: "Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of Trap Levels in Tris(8-Hydroxyquiniline) Aluminum", Materials Research Society 2006 Fall Meeting (2006.11, USA)

Y.Nakano, K.Noda, H.Fujikawa, T.Morikawa, T.Ohwaki: "Deep-Level Characterization of Tris(8-Hydroxyquinoline) Aluminum with and without Quinacridone Doping", 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (2006.9, Yokohama).

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Band-Gap Narrowing of TiO2 Films Induced by N Doping", 23rd International Conference on Defects in Semiconductors (2005.7, Hyogo).

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of N-Doped TiO2", 4th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (2005.4, Tokyo). /invited/

Y.Irokawa, Y.Nakano, M.Ishiko, T.Kachi, J.Kim, F.Ren, B.P.Gila, A.H.Onstine, C.R.Abernathy, S.J.Pearton, C.-C.Pan, G.-T.Chen, J.-I.Chyi: "GaN Enhancement Mode Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistors", International Workshop on Nitride Semiconductors 2004 (2004.4, USA).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "N-Type Implantation Doping of GaN", 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (2003.10, France).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "P-Type Implantation Doping of GaN", 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (2003.10, France).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Thermally Oxidized GaN Metal-Oxide-Semiconductor Structures", 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (2003.10, France).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Be+O Co-Implantation into GaN for P-Type Doping", 5th International Conference on Nitride Semiconductors (2003.5, Nara).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Interface Properties of Thermally Oxidized n-GaN MOS Structures", 5th International Conference on Nitride Semiconductors (2003.5, Nara).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Defects in N/Ge and N/Si Co-Implanted GaN", 1st International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry (2003.3, Sendai).

Y.Nakano, T.Jimbo: "Electrical Characterization of Acceptor Levels in Mg-Doped GaN", International Workshop on Nitride Semiconductors 2002 (2002.7, Germany).

Y.Nakano, T.Jimbo: "Inversion Behavior in SiO2/n-GaN Metal-Insulator-Semiconductor Structures", International Workshop on Nitride Semiconductors 2002 (2002.7, Germany).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "Doping Characteristics and Structural Defects in N/Ge Co-Implanted in GaN", 28th International Symposium on Compound Semiconductors (2001.9, Tokyo).

Y.Nakano, T.Kachi, T.Jimbo: "N/Ge Co-Implantation into GaN for N-Type Doping", International Conference on Solid State Devices and Materials 2001 (2001, Tokyo).

T.Kachi, Y.Nakano: "Effect of N/Ge Sequential Implantation on the Ge Activation in GaN", 4th International Conference on Nitride Semiconductors (2001, USA).

Y.Nakano, T.Kachi, H.Tadano, R.K.Malhan, "Effect of C/B Co-Implantation on the B Acceptors in 4H-SiC", Materials Research Society 2000 Fall Meeting (2000, USA).

国内学会(2000~)

中野, 川上, 新部, 髙木, 白濱, 向井: 「CF4プラズマ処理したAlGaN/GaNヘテロ構造の電気的評価」, 第62回春季応用物理学会学術講演会, 東海大学, 2015年3月.

中野, 髙木, 小川, 中村, 新部, 川上: 「Ar+イオン照射したMOCVD-GaN:Si膜の電気的評価」, 第62回春季応用物理学会学術講演会, 東海大学, 2015年3月.

佐野, 新部, 川上, 中野: 「軟X線照射によるTiO2超微粒子のNEXAFSスペクトル形状の回復」, 東海大学, 第62回春季応用物理学会学術講演会, 2015年3月.

平井, 新部, 川上, 白濱, 中野, 向井: 「ArとCF4プラズマで処理したAlGaN膜の表面分析」, 第28回日本放射光学会年会 放射光科学合同シンポジウム, 立命館大学, 2015年1月.

佐野, 新部, 川上, 中野: 「X線吸収分光法を用いたTiO2薄膜のプラズマダメージ評価」,, 第28回日本放射光学会年会 放射光科学合同シンポジウム, 立命館大学, 2015年1月.

角谷,本田,L.Sang,中野,長谷川: 「III-V族窒化物太陽電池特性のp-GaN 層Mg dopingと InGaN層のキャリア密度依存性」, 第75回応用物理学会秋学術講演会, 北海道大学, 2014年9月.

加藤, 中野: 「光電極応用に向けたp型SiCエピタキシャル層の欠陥評価」, 第75回応用物理学会秋学術講演会, 北海道大学, 2014年9月.

角谷,本田,L.Sang,中野,長谷川: 「歪みInGaN活性層を用いた太陽電池特性のn層ドーピング密度依存性」, 第75回応用物理学会秋学術講演会, 北海道大学, 2014年9月.

中野, 色川, 角谷, 八木, 河合: 「C-t法によるAlGaN/GaNヘテロ構造のターンオン回復特性評価」, 第75回応用物理学会秋学術講演会, 北海道大学, 2014年9月.

小川, 中野, 中村: 「窒化ガリウム薄膜をプラズマ中に曝したときの基板温度の効果」, 第75回応用物理学会秋学術講演会, 北海道大学, 2014年9月.

中野, 中村, 新部, 川上: 「A+イオン照射したHVPE-GaN膜の電気的評価」, 第75回応用物理学会秋学術講演会, 北海道大学, 2014年9月.

新部, 川上, 中野, 向井, 白濱, 平井: 「CF4とArプラズマでエッチングしたAlGaN表面ダメージ」, 第75回応用物理学会秋学術講演会, 北海道大学, 2014年9月.

中野 : 「AlGaN/GaNヘテロ構造における炭素関連の欠陥準位評価」, 日本物理学会 第24回格子欠陥フォーラム「パワーデバイス開発のための格子欠陥評価・制御」, 恵那 (岐阜), 2014年9月. /招待講演/

小川, 中野, 中村:: 「アルゴンプラズマに曝された窒化ガリウムフィルムに対する冷却効果」, 電気学会プラズマ研究会, 大阪府立大学, 2014年9月.

白濱, 川上, 新部, 中野, 平井, 向井: 「CF4プラズマとAlGaN表面との相互作用」, 平成26年度電気関係学会 四国支部連合大会, 徳島大学, 2014年9月.

川上, 新部, 中野, 白濱, 向井: 「対向ターゲットを用いたDCプラズマスパッタリングによる酸化チタン薄膜の生成」, 平成26年度電気関係学会 四国支部連合大会, 徳島大学, 2014年9月.

角谷, Sang, 長谷川, 中野: 「III-V族窒化物薄膜太陽電池の歪を考慮した計算解析」, 応用物理学会(2014.3).

佐野, 新部, 川上, 中野: 「X線吸収分光法によるTiO2薄膜のエッチングダメージ評価」, 応用物理学会(2014.3).

小川, 中野, 中村: 「プラズマ中の窒化ガリウム膜におけるフォトルミネッセンスの基板温度効果」, 応用物理学会(2014.3).

新部, 平井, 川上, 白濱, 中野, 向井: 「UVアシストHeプラズマによりエッチングしたn-GaN結晶の表面ダメージの分析」, 応用物理学会(2014.3).

中野, 色川, 角谷, 住田, 八木, 河合: 「AlGaN/GaNヘテロ構造の炭素関連欠陥準位とターンオン電流回復特性」, 応用物理学会(2014.3).

中野, 長谷川, Sang, 角谷: 「水銀プローブによるInGaN厚膜の電気的評価」, 応用物理学会(2014.3).

川上, 新部, 中野, 向井, 白濱, 山田, 青木, 仲, 高畑, 大場:「N2プラズマによるGaN エッチングダメージ」, 平成25 年度電気関係学会四国支部連合大会(2013.9).

山田, 川上, 新部, 中野, 佐野: 「二酸化チタン配合フッ素樹脂のDBD 酸素プラズマ表面処理に関する研究」, 平成25 年度電気関係学会四国支部連合大会(2013.9).

新部, 佐野, 川上, 富永, 中野: 「SXおよびUV照射によるTiO2薄膜のエッチングダメージの回復」, 応用物理学会(2013.9).

佐野, 新部, 川上, 富永, 中野: 「XASスペクトルに見られるTiO2薄膜のエッチングダメージ回復現象の条件評価」, 応用物理学会(2013.9).

川上, 新部, 中野, 向井, 白濱, 山田, 青木, 仲, 高畑, 大場: 「紫外光アシストHeプラズマによるn-GaN表面エッチングダメージ」, 応用物理学会(2013.9).

中野, 新部, M.Lozac'h, L.Sang, 角谷: 「InGaN厚膜を有するpin接合の電気的評価」, 応用物理学会(2013.3).

新部, 佐野, 小高, 川上, 富永, 中野: 「軟X線照射によるTiO2薄膜のエッチングダメージの回復II」, 応用物理学会(2013.3).

佐野, 新部, 小高, 川上, 富永, 中野: 「軟X線照射によるTiO2薄膜のエッチングダメージの回復I」, 応用物理学会(2013.3).

新部, 川上, 中野, 小西, 森, 小高, 白濱, 山田, 富永, 向井: 「n-GaN表面のN2プラズマエッチングダメージ」, 応用物理学会(2013.3).

佐野, 新部, 小高, 川上, 富永, 中野: 「光照射によるTiO2薄膜のエッチングダメージの回復」, ニュースバル放射光施設 先端技術セミナー2013 (2013.3).

新部, 佐野, 小高, 川上, 富永, 中野: 「軟X線照射によるTiO2薄膜の乱れた構造の回復」, 第26回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム(2013.1).

新部, 佐野, 小高, 川上, 富永, 中野: 「エッチングしたTiO2薄膜の軟X 線照射による乱れた構造の回復」, 第48回X線分析討論会(2012.10).

小高, 新部, 川上, 中野, 向井: 「N2 プラズマによるGaNエッチングダメージの分析」, 第48回X線分析討論会(2012.10).

森, 川上, 新部, 中野, 小西, 小高, 白濱, 山田, 富永: 「二酸化チタン配合フッ素樹脂へのDBDエアプラズマトリートメント」, 電気関係学会四国支部連合大会(2012.9).

小西, 川上, 新部, 中野, 森, 小高, 白濱, 山田, 富永, 向井: 「p-GaNとn-GaNにおけるArプラズマエッチングダメージ」, 電気関係学会四国支部連合大会(2012.9).

新部, 小高, 川上, 富永, 中野: 「軟X線吸収分光法によるTiO2薄膜のエッチングダメージの解析」」, 応用物理学会(2012.9).

川上, 新部, 中野, 小西, 森, 小高, 白濱, 山田, 富永, 向井: 「容量性結合アルゴンプラズマによるp-GaNエッチングダメージ」, 応用物理学会(2012.9).

中野, 新部, M. Lozac'h, L. Sang, 角谷: 「InGaN厚膜の欠陥準位評価」, 応用物理学会(2012.9).

中野, 色川, 住田, 八木, 河合: 「AlGaN/GaNヘテロ構造のターンオン回復特性と欠陥準位の相関」, 応用物理学会(2012.9).

中村, 陳, 中野, 菅井: 「プラズマに曝された窒化ガリウム薄膜のフォトルミネッセンスその場観測」 , 応用物理学会(2012.9).

中野, M.Lozac'h, L.Sang, 角谷: 「光容量分光法によるInGaN厚膜の欠陥準位評価」, 応用物理学会(2012.3).

中野, 中村, 新部, 川上, 伊藤, 小高, 稲岡, 富永: 「GaNのArプラズマエッチングへのUV光照射効果」, 応用物理学会(2012.3).

加藤, 李, 伊藤, 中村, 中野, 菅井: 「プラズマ環境にある窒化ガリウム薄膜のフォトルミネッセンス観測」, 電気関係学会四国支部連合大会 (2011.9).

小西, 川上, 新部, 武市, 森, 小高, 中野, 稲岡, 富永, 向井:「窒素プロセシングプラズマによるn-GaN エッチングダメージ」」, 電気関係学会四国支部連合大会 (2011.9).

武市, 川上, 新部, 中野, 小西, 森, 小高, 稲岡, 富永, 向井:「Ar/Kr プラズマイオンと紫外線のシナジー効果によるn-GaN エッチングダメージ」, 電気関係学会四国支部連合大会 (2011.9).

新部, 小高, 川上, 中野, 稲岡, 富永, 向井: 「HeおよびArガスを用いてプラズマエッチングしたn-GaN結晶の表面ダメージ分析」, 応用物理学会 (2011.8).

川上, 武市, 小西, 森, 稲岡, 富永, 新部, 小高, 中野, 向井: 「容量性結合N2プラズマによるGaNエッチングダメージ」, 応用物理学会 (2011.8).

中野, 川上, 新部, 武市, 稲岡, 富永: 「プラズマエッチング損傷GaNのフォトルミネッセンス評価」, 応用物理学会 (2011.8).

中野, 色川, 住田, 八木, 河合: 「成長条件の異なるAlGaN/GaNヘテロ構造のDLOS評価」, 応用物理学会 (2011.8).

M.Lozac'h, Y.Nakano, K.Sakoda, M.Sumiya: "Schottky solar cells using transparent conductive polymer on III-V nitride thin films", 応用物理学会 (2011.3).

中野, 川上, 新部, 武市, 稲岡, 富永: 「GaNのプラズマエッチング損傷のフォトルミネッセンス評価」, 応用物理学会(2011.3).

中村, 郭, 高, 中野, 菅井: 「誘導結合型プラズマ中の窒化ガリウム膜に対する高エネルギー電子の照射効果」, 応用物理学会(2010.9).

中野, 松木, M.Lozac'h, 迫田, 角谷: 「ポリアニリン透明ショットキー電極を用いたGaN自立基板の電気的評価」, 応用物理学会(2010.9).

高, 伊藤, 中野, 中村, 菅井: 「プロセスプラズマにおける高速電子線の発生と窒化物半導体のカソードルミネッセンス計測への適用(2)」, 電気関係学会東海支部連合大会(2010.8).

伊藤, 高, 中野, 中村, 菅井: 「プロセスプラズマにおける高速電子線の発生と窒化物半導体のカソードルミネッセンス計測への適用(1)」, 電気関係学会東海支部連合大会(2010.8).

中野, 色川, 住田, 河合: 「電流コラプス量の異なるAlGaN/GaN構造のDLOS評価」, 応用物理学会(2010.3).

中野, 松木, 色川, 角谷: 「ポリアニリン透明ショットキー電極を用いたn-GaN膜のDLOS評価」, 応用物理学会(2010.3).

松木, 中野, 色川, ロザック, 迫田, 角谷: 「透明導電性高分子/III族窒化物半導体ショットキー型太陽電池の界面構造」」, 応用物理学会 (2009.9).

松木, 色川, 中野, 角谷: 「透明導電性高分子とIII族窒化物半導体によるヘテロ接合太陽電池」, 第6回次世代の太陽光発電システムシンポジウム(2009.7).

中野, 色川, 竹口:「AlGaN/GaNヘテロ構造の界面電子物性評価」, 応用物理学会(2009.3).

中野:「有機EL素子のトラップ分光の基礎とデバイス評価」, 高分子学会 有機EL研究会(2008.10). /招待講演/

中野, 色川, 竹口:「Al0.3Ga0.7N/GaNヘテロ構造のDLOS評価」, 応用物理学会(2008.9).

中野, 野田, 藤川:「a-NPD/Alq3発光層界面の輝度劣化前後のDLOS評価」, 応用物理学会(2008.9).

中野, 佐伯, 森川:「反応性スパッタ法により形成したCu2O膜物性への結晶性の影響」, 応用物理学会(2008.9).

中野, 佐伯, 森川:「反応性スパッタ法により形成したp型Cu2ON膜の光学バンドギャップ制御」, 応用物理学会(2008.9).

中野:「窒素ドープ酸化チタン光触媒の可視光応答化」, 次世代半導体材料・デバイス開発のための欠陥エンジニアリングに関する研究会(2007.12).

伊東, 中森, 上殿, 中野, 加地, 大平, 鈴木, 石橋:「低速陽電子ビームを用いたイオン注入GaNの欠陥評価(II)」, 応用物理学会 (2007.9).

中森, 伊東, 上殿, 中野, 加地, 大平, 鈴木, 石橋:「低速陽電子ビームを用いたイオン注入GaNの欠陥評価(I)」, 応用物理学会 (2007.9).

中野, 野田, 藤川, 森川, 大脇:「Alq3を用いた有機EL素子の発光層界面のDLOS評価」, 応用物理学会 (2007.3).

飯島, 後藤, 榎本, 椚田, 江馬, 中野, 森川, 塚本, 市川, 坂間:「窒素ドープ酸化チタン薄膜の光学特性」, 応用物理学会(2007.3).

中野:「DLOS法によるAlq3膜のバンドギャップ内準位評価」, 学術創成研究「有機デバイス関連界面の解明と制御」公開シンポジウム(2006.10).

中野, 野田, 藤川, 森川, 大脇:「DLOS法によるAlq3膜のトラップ準位評価」, 応用物理学会(2006.8).

中野, 森川, 大脇: 「反応性スパッタ法で作製したNドープZnO膜の可視光応答化」, 応用物理学会(2006.8).

中野, 森川, 大脇, 多賀:「窒素ドープTiO2膜のDeep Level評価」, 応用物理学会(2005.3).

色川, 藤島, 加地, 中野:「GaNへのSiイオン注入」, 応用物理学会(2005.3).

Y.Nakano, T.Morikawa, T.Ohwaki, Y.Taga: "Deep-Level Optical Spectroscopy Investigation of N-Doped TiO2", 光機能材料研究会 第11回光触媒シンポジウム (2004.12).

中野, 加地, 神保: 「GaNへのBe+O同時イオン注入によるp型ドーピング」, 応用物理学会(2003.3).

中野, 加地, 神保: 「熱酸化法で形成したn-GaN MOS構造の電気的評価」, 応用物理学会(2003.3).

中野, 神保: 「GaNへのSi+N同時イオン注入によるn型ドーピング」, 応用物理学会(2002.9).

中野, 神保: 「GaN:Mg膜のアクセプター準位の電気的評価」, 応用物理学会(2002.3).

中野, 色川, 神保: 「n型GaN MISキャパシタにおける反転層の観察」, 応用物理学会(2002.3).

中野, 加地: 「GaNにおけるGe活性化に及ぼうN/Ge同時イオン注入の効果」, 応用物理学会(2001.3).

中野: 「GaNへのイオン注入技術」, 第6回エネルギー・ビーム工学研究会(2001.3).

中野, 加地: 「GaNにおけるGe活性化に及ぼすN/Ge同時イオン注入の効果」, SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第9回講演会(2000.12).

中野, 加地, 只野: "Effect of C/B sequential implantation on the B acceptors in 4H-SiC", 第2回エネルギー・ビーム工学研究会(2000.7).

受賞

研究費

中部大学 特別研究費A (平成26-27年度)

科学研究費補助金 基盤研究(C)(平成25-27年度)

JST 平成24-25年度A-STEP探索

中部大学 特別研究費A (平成24-25年度)

JST 平成23-24年度A-STEP探索

立松財団 平成23年度海外調査研究助成

村田学術振興財団 平成23年度海外派遣援助

JST 先端的低炭素化技術開発事業(ALCA)(平成22-27年度)[分担]

科学研究費補助金 基盤研究(C)(平成22-24年度)

中部大学 特別研究費A (平成22-23年度)

中部電力基礎技術研究所 第21期(平成22年度)研究助成

立松財団 平成21年度海外調査研究助成

(独)物質・材料研究機構 平成21年度学独連携研究 特別ファンド

JST 平成21年度シーズ発掘試験A

日本板硝子材料工学助成会 2009年度(第31回)研究助成

材料科学技術振興財団(MST) 2009年度研究助成

東海広域知的クラスター(平成21-24年度)[分担]

カシオ科学振興財団 第25回(2008年度)研究助成

立松財団 第16回(2008年度)一般研究助成

中部大学 特別研究費A (平成20-21年度)

社会活動

JST 戦略的創造研究推進事業 先端的低炭素化技術開発事業(ALCA) 研究開発課題「III-V族窒化物太陽電池の高効率化と集光型デバイスへの展開」グループリーダー, 2010-2014年度

電気設備学会 中部支部 太陽光発電システム調査研究委員会 委員, 2010-2011年度

文部科学省・東海広域知的クラスター創成事業(第II期)「先進プラズマナノ科学」研究員, 2009-2012年度

知の拠点・重点研究プロジェクト研究会「クリーンエネルギー技術に基づく低炭素社会実現のための研究会」メンバー (愛知県・科学技術交流財団), 2008-2009年度

「次世代半導体材料・デバイス開発のための欠陥エンジニアリングに関する研究会」メンバー (科学技術交流財団), 2007-2008年度

「エネルギー・ビーム工学研究会」メンバー (科学技術交流財団), 2000-2001年度

American Institute of Physics [AIP] 論文査読員

その他

特許

特許第5541664号 「ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性測定方法及び測定装置」

特開2013-211429 「半導体基材の表面モニター方法及び表面モニター装置」

特開2013-123074 「半導体装置とその製造方法」

特許第5667382号 「半導体基材の状態測定方法及び状態測定装置」

特開2011-33615 「水素ガス検知センサー及び水素ガス検知方法」

特許第5221577号 「半導体装置とその製造方法」

特開2011-82353 「ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性の計測方法」

特許第4645753号 「III族窒化物半導体を有する半導体素子」

CN 100530687C (中国) "III-V HEMT DEVICES”

特開2009-149485 「半導体材料および半導体素子」

US Patent 7777252 (米国) "III-V HEMT DEVICES”

US Patent 7211839 (米国)  "Group III nitride semiconductor device”

EP 1779438 (欧州) "III-V HEMT DEVICES”

特許第4645540号  「有機デバイスの信頼性評価手法および評価装置」

特許第4744109号 「半導体装置とその製造方法」

US Patent 6972459 (米国) "Metal oxide semiconductor transistor having a nitrogen cluster”

特開2004-356257 「P型III族窒化物半導体の製造方法」

特許第4645034号 「III族窒化物半導体を有する半導体素子」

特開2003-347234 「III族窒化物膜の製造方法」

DE Patent 10225234 (ドイツ) "Metal oxide semiconductor transistor having a nitrogen cluster”

特許第4840551号 「MOSトランジスタ」

特開2002-176004 「III族窒化物半導体の製造方法及びIII族窒化物半導体素子」

特開2001-358146 「半導体装置および半導体基板の処理方法」

特許第3314509号 「NOxガス検知半導体およびその製造方法」

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