中部大学

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教員情報

後藤 英雄 GOTO Hideo

プロフィール

職名 教授
所属 工学部 電気電子システム工学科
工学部 電気システム工学科
大学院 工学研究科 電気電子工学専攻
最終学歴 名古屋大学大学院工学研究科
学位 工学博士(名古屋大学)
所属学会・役職 応用物理学会
日本物理学会
電気学会
専門分野 半導体工学、電子材料学
研究テーマ II-VI族半導体に関する研究、次世代新電子材料に関する研究
研究紹介PDF
授業科目 電気磁気学、半導体工学、ゼミナールB

学術論文、評論

Voltage-current hysteretic characteristics in a Ni-Cd1-XMnXTe structure (共著), Journal of Alloys and Compounds, 2008

MOVPE Growth, Magnetic and Crystallographic Studies of V,XZn1-XSe (共著), Journal of Crystal Growth ,2007

電着法によるInドープn-CdTe半導体薄膜の作製と評価 (共著), 電気学会論文誌A, 2007

Metal-organic vapor phase epitaxy growth and crystallographic study of vanadium-doped ZnSe (共著), phys. stat. sol.(b), 2007

Sb-treatment effect of GaAs substrate on Sb-doped Cd1-XMnXTe grown by MOVPE (共著), phys. stat. sol.(b), 2007

Electrical Conduction of Composites of Tin Oxide and Zinc Oxide in Hydrogen (共著), Japanese Journal of Applied Physics, 2007

Vを添加したZnSeのMOVPE成長と評価 (共著), 電子情報通信学会論文誌, 2005

Antimony Treatment Effect on Cd1-XMnXTe Growth on GaAs by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (共著), Japanese Journal of Applied Physics, 2005

Epitaxial Growth of Vanadium-Doped ZnSe by MOVPE (共著), Materials Transactions, 2005

Deep hole trap levels of Sb-doped ZnSe grown by MOVPE (共著), Journal of Crystal Growth, 2003

Photoacoustic spectra of Sb-doped ZnSe (共著), Materials Lerrers, 2001

MOVPE growth and Characterization of Mn-doped ZnSe films (共著), Journal of Crystal Growth, 2001

Deep levels in Sb-doped ZnSe fabricated by matalorganic vapor-phase epitaxy (共著), Journal of Crystal Growth, 2000

Electrical Properties pf Sb-doped ZnSe grown by metalorganic vapor phase epitaxy (共著), Journal of Crystal Growth, 2000

Photoluminescence of ZnSe Grown by Photo-Assisted Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (共著), 中部大学総合工学, 2000

圧縮成型試料を詰めたBi-2223テープの超電導特性 (共著), 粉体及び粉末冶金, 1999

Influece on Insulator Doping on Superconducting Properties of Bi-system Superconductor (共著), Advances in Science and Technology, 1999

Effects of Impurities on Critical Current Density in Bi-System Superconductors (共著), 中部大学工学部紀要, 1998

アンチモンを添加したZnSeのMOVPE成長 (共著), 中部大学総合工学, 1998

Fundamental Characteristics of DRAM Capacitor Application of PLZT Ultrathin Films Prepared by MOCVD (共著), Electrical Engineering in Japan, Vol.122, No.1, 1998

The Impurity Doping in Widegap Semiconductors (共著), Solid State Phenomena, 1998

Acceptor Level of Sb in ZnSe (共著), Nonlinear Optics, 1998

Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Sb-Doped ZnSe(共著), Japanese Journal of Applied Physics, 1998

MOCVD法によるPLZT超薄膜の作製とDRAMキャパシターとしての基礎特性 (共著), 電気学会論文誌C, 1998

ロール圧延法によるBi系高温超電導体の線材化 (共著), 中部大学総合工学, 1997

Deep hole Trap Level of Nitrogen-doped ZnSe grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (共著), Journal of Crystal Growth, 1997

Comparative Study of C-V and Transconductance of a Si δ-Doped GaAs FET Structure, Japanese Journal of Applied Physics, 1997

半導体の結晶成長と評価 (共著), 中部大学総合工学, 1997

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