中部大学研究紹介2023

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29キーワード相談に応じられる内容ワイドギャップ半導体の欠陥準位計測とバンド構造解析NAKANO Yoshitaka　 工学部 電気電子システム工学科教授　中野 由崇GaN・SiC・酸化物・有機物などのワイドギャップ半導体デバイス・材料における欠陥準位計測とバンド構造解析　従来のSiやGaAsの物性限界を凌駕するワイドギャップ半導体（III族窒化物、 SiC、酸化物、有機半導体）はパワーデバイス・太陽電池・光触媒などのグリーンエネルギー分野において注目されている。これらの新規半導体が有する優れた物性を具現化するには、電気的に活性な欠陥準位を極力低減する必要がある。当研究室では、これらの半導体デバイス・材料に存在する欠陥準位を光励起や熱励起などを利用した過渡容量分光法（DLOS: Deep-Level Optical Spectroscopy, DLTS: Deep-Level Transient Spectroscopy, TAS: Thermal Admittance Spectroscopy）を用いて高感度に精密計測し、バンド構造解析を通して結晶成長やプロセス技術へフィードバックするバンド構造エンジニアリングを積極的に行っている。【研究テーマ】●AlGaN/GaNヘテロ構造の炭素関連欠陥準位とスイッチング特性の相関研究●InGaN厚膜pin接合型太陽電池の欠陥準位評価･解析●有機デバイスの界面欠陥準位計測と劣化解析●GaN,SiC,Ga2O3エピタキシャル膜の欠陥準位評価・解析●欠陥準位の非侵襲･高感度計測技術の開発ワイドギャップ半導体、欠陥準位計測、過渡容量分光、バンド構造解析 特許P99参照キーワード相談に応じられる内容 ナノ・マイクロ材料向けプラズマ技術に関する研究NAKAMURA Keiji工学部 電気電子システム工学科教授　中村 圭二プラズマ源の設計、プラズマの計測および制御、材料に対するプラズマの影響評価　我々の研究室では、従来にはない様々な機能や特性をもたらすナノ・マイクロ材料のためのコア技術としてプラズマに着目し、それに必要となるプラズマ装置やその周辺技術、さらには実際の応用を目指して、研究に取り組んでいます。【研究テーマ】●材料プロセス用プラズマ装置の開発　プラズマを取り囲んでいる容器壁の状態を制御することでプラズマ組成の　安定化を図り、微細なマイクロ・ナノ材料プロセスに適応できるプラズマ装置　を開発している。●材料プロセス用金属イオン源の開発と応用　大面積・大容量、高密度、金属ドロップレットフリーの理想的な金属イオン源　を開発し、超LSIデバイスでの金属配線工程などへの応用を目指している。●ナノプロセス用プラズマのモニタリング技術　誤差１％以下で電子密度をモニタできるプラズマ吸収プローブやカーリング　プローブを開発し、ナノプロセス用プラズマ装置のモニタリングへの応用を　目指している。●プラズマイオン注入法によるナノレベル表面改質とその制御　プラズマのイオンを基材に直接注入することで高いスループットで表面改質　を行い、イオン注入面の二次電子放出率に着目したIn-situプロセス制御の　研究を行っている。プラズマ、材料プロセス、気相診断、表面モニタ特許P99参照工学部工学部